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J-GLOBAL ID：202202226513385952   整理番号：22A0973974

多段階成長過程でMOCVDによりc面サファイア上に成長させたε-Ga_2O_3【JST・京大機械翻訳】

ε-Ga₂O₃ Grown on c-Plane Sapphire by MOCVD with a Multistep Growth Process

著者 (8件)： Hsu Yu-Hsuan (Department of Photonics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC) ,  Wu Wan-Yu (Department of Biomedical Engineering, Da-Yeh University, Taiwan, ROC) ,  Lin Kun-Lin (Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI), National Applied Research Laboratories, Taiwan, ROC) ,  Chen Yu-Hsuan (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan, ROC) ,  Lin Yi-Hsin (Department of Photonics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC) ,  Liu Po-Liang (Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan, ROC) ,  Hsiao Ching-Lien (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology, Linkoeping University, Sweden) ,  Horng Ray-Hua (Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Taiwan, ROC)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 3  ページ： 1837-1845  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム酸化物(Ga_2O_3)は半導体における確立された応用のため特に普及している。5つの多形の中で,単斜晶β-Ga_2O_3が熱力学的に安定な相である。しかし,斜方晶Ga_2O_3(ε-Ga_2O_3またはκ-Ga_2O_3)は,その高い格子対称性と特異な強誘電性のため,興味が増大している。Ga_2O_3を推定するための構造的アプローチを理論的および実験的に検討したが,ε-Ga_2O_3およびκ-Ga_2O_3はまだ混乱している。本研究では,ε-Ga_2O_3エピ層を,多段階成長過程による有機金属化学蒸着によりc面サファイア上に成長させた。薄いアニールしたε-Ga_2O_3バッファ層を第一段階で成長させた。遅い,速い,あるいは遅い速い成長速度の逐次成長ステップは,直接成長したGa_2O_3に比べてエピ層の品質に大きく影響する。これらのGa_2O_3エピ層の詳細な透過型電子顕微鏡(TEM)キャラクタリゼーションにより,斜方晶系κ-Ga_2O_3と六方晶ε-Ga_2O_3間の構造関係を明らかにした。一連の第一原理密度汎関数理論計算も行い,議論を確認した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  熱力学 ,  半導体 ,  強誘電性 ,  酸化ガリウム ,  斜方晶系 ,  単斜晶系 ,  六方晶系 ,  *サファイア ,  *成長段階 ,  *MOCVD ,  成長速度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  バッファ層
準シソーラス用語： エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  成長過程 ,  MOCVD ,  サファイア ,  成長