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J-GLOBAL ID：202202226636088630   整理番号：22A0704666

接触レッジ構造を持つ再成長Ohm接触による低電圧RF応用のための高性能ミリ波InAlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

High performance millimeter-wave InAlN/GaN HEMT for low voltage RF applications via regrown Ohmic contact with contact ledge structure

著者 (13件)： Zhou Yuwei (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Mi Minhan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yang Mei (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Han Yutong (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Wang Pengfei (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Chen Yilin (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Liu Jielong (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Gong Can (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Lu Yiwei (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Meng (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhu Qing (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Ma Xiaohua (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 6  ページ： 062104-062104-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触レッジ構造,高性能ミリ波InAlN/GaN HEMTによる再成長オーミック接触からのベネフィットを,低電圧RF応用を満足するために製作した。再成長Ohm接触のための通常見られる作製プロセスと異なり,本研究で提案したスキームは,マスクのない再成長と自己停止エッチングによるアクセス領域上に成長したn+GaNの部分的除去の後,全ウエハ上のn+GaNのMBE再成長を特徴とした。障壁上の残留n+GaNは,接触レッジとして役立ち,等価ソース-ドレイン距離の減少を達成する付加的電流経路を提供し,従って,出力電流を改善し,実際のソース-ドレイン距離が収縮するにつれて,接触レッジにより,より多くの電流寄与がなされる。接触レッジの支援により,作製したデバイスは2.8A/mmの出力電流密度,823mS/mmのピーク外因性相互コンダクタンス,1.6Vの膝電圧,0.47Ωmmのオン抵抗を示した。自己停止エッチングはアクセス領域で行ったが,デバイスは無視できる電流崩壊を示した。6Vの30GHzとV_DSにおいて,1.2W/mmの出力電力密度と共に52%の偏心電力付加効率を達成し,低電圧RF応用に対する接触レッジ構造による再成長オーミック接触の大きな可能性を明らかにした。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  *結晶成長 ,  *電圧 ,  電流 ,  *EHF波 ,  *窒化ガリウム ,  *Ohm接触 ,  相互コンダクタンス ,  ソース【半導体】 ,  *HEMT ,  オン抵抗 ,  電力付加効率
準シソーラス用語： *再成長 ,  *低電圧 ,  出力電力 ,  電流経路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 再成長 ,  Ohm接触 ,  低電圧 ,  RF ,  応用 ,  高性能 ,  ミリ波 ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT