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J-GLOBAL ID：202202226878884358   整理番号：22A0958715

超高線量に照射された16nmバルクFinFETのTID劣化に及ぼすフィンと指数の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Fin and Finger Number on TID Degradation of 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahigh Doses

著者 (7件)： Ma Teng (INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy) ,  Bonaldo Stefano (INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy) ,  Mattiazzo Serena (INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy) ,  Baschirotto Andrea (INFN Milano-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Milan, Italy) ,  Enz Christian (Institute of Microengineering, EPFL-Ecole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Paccagnella Alessandro (INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy) ,  Gerardin Simone (INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 307-313  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,異なる数のフィンと指で設計した超高線量n-およびp-FinFETにおける16nmバルクSi FinFETにおける全イオン化線量(TID)劣化のフィンおよび指数依存性を500Mrad(SiO_2)まで照射し,次に100°Cで24時間アニールした。nFinFETのTID応答は,浅いトレンチ分離(STI)および/またはゲート酸化物における境界および界面トラップ発生によって支配されたように,フィン数に鈍感であった。しかし,pFinFETは,最小数のフィンを持つトランジスタの最悪許容度で,可視フィン数依存性を示した。フィン数依存性は,第1および最後のフィンの反対側の側面に位置するSTIにおけるより大きな電荷捕獲に関連している可能性がある。さらに,n-およびp-FinFETは,指数に対してほとんどTID非感受性を示した。集積回路の設計の間,電子システムのTID耐性は,指より多数のフィンを有するトランジスタを優先的に使用することによって強化できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応答 ,  集積回路 ,  焼なまし ,  トランジスタ ,  *フィン ,  *FET【トランジスタ】 ,  感受性 ,  *放射線量 ,  電離放射線 ,  許容量 ,  電子装置 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *FinFET ,  ゲート酸化膜 ,  界面トラップ ,  電荷捕獲 ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線量 ,  バルク ,  FinFET ,  TID ,  フィン ,  指数