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J-GLOBAL ID：202202227316510134   整理番号：22A1100900

100mW/cm=2から2000°Cまでの安定なパワー指数を示すリセスゲートGa_2O_3-on-SiC MOSFET【JST・京大機械翻訳】

Recessed-Gate Ga2O3-on-SiC MOSFETs Demonstrating a Stable Power Figure of Merit of 100 mW/cm2 Up to 200 °C

著者 (11件)： Wang Yibo (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Han Genquan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Xu Wenhui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  You Tiangui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Hu Haodong (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Liu Yan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Xinchuang (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Huang Hao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Ou Xin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Ma Xiaohua (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1945-1949  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不均一Ga_2O_3-オン-SiC(GaOSiC)ウエハ上の必要なゲートβ-ガリウム酸化物(Ga_2O_3)MOSFETを作製し,特性化した。11ΩμmのL_SDを有するGaOSiCトランジスタは,25°Cから200°Cまで変化する温度,すなわち1000Vの絶縁破壊電圧(V_br),約100mΩ/cm2の特定のON抵抗(R_ON,sp),91mA/mmの駆動電流,および~100MW/cm2の電力性能指数(P-FOM)を含む温度を有する,デセントおよび安定な電気特性を示した。”その特性”は,約1000Vの絶縁破壊電圧(V_br),約100mA/mmの駆動電流,および約100MW/cm2の電力性能指数(P-FOM)を含む。同じ不均一ウエハ上に作製した移動長さ法(TLM)構造の特性評価は,β-Ga_2O_3/Ti/Au接触界面での還元移動長(L_T)が,高温におけるβ-Ga_2O_3膜のシート抵抗(R_SH)の増加を補償し,GaOSiCデバイスの安定した電気的性能をもたらすことを実証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  電圧 ,  電流 ,  トランジスタ ,  電力 ,  *MOSFET ,  性能指数 ,  酸化ガリウム ,  電気特性 ,  ウエハ【IC】 ,  キャラクタリゼーション ,  *ゲート【半導体】 ,  シート抵抗 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  駆動電流 ,  接触界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  指数 ,  SiC ,  MOSFET