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J-GLOBAL ID：202202227734987179   整理番号：22A0430780

PEDOT:PSS/GOを用いた作製不揮発性バイポーラ抵抗スイッチングメモリ(ReRAM)のスイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

Switching characteristic of fabricated nonvolatile bipolar resistive switching memory (ReRAM) using PEDOT: PSS/GO

著者 (3件)： Moazzeni Alireza (Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran) ,  hamedi Samaneh (Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran) ,  Kordrostami Zoheir (Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 188  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,PEDOT:PSSを1:1wt%の酸化グラフェン(GO)に混合することにより,バイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリセル(ReRAM)を報告した。スイッチング機構を比較するために,GOとPEDOT:PSSに基づくメモリデバイスを,明確に製作し,特性評価した。スピン被覆活性層は,それぞれ底部と上部電極としてITOとAlの間に挟まれる。PEDOT:PSS/GOメモリにおける抵抗スイッチング機構はフィラメント型に基づく。PEDOT:PSS/GOメモリのSETとRESET操作は比較的対称であるが,GOとPEDOT:PSS試料は顕著な非対称ヒステリシス曲線を持つ。作製した非揮発性ReRAMの双安定挙動のキャリア輸送機構を空間電荷制限電流(SCLC)に基づいて記述した。著者らの実験では,構造ITO/PEDOT:PSS-GO/Alは,約100/オフ電流比,3.5Vセット/セット電圧,および6000sの高い保持時間で良好なスイッチング挙動を示した。さらに,蒸着薄膜の結晶性と表面トポグラフィーを,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),および走査電子顕微鏡(SEM)によって特性評価した。簡単な構造と低コスト製作は,将来のエレクトロニクスと印刷エレクトロニクスとして,データ蓄積と計算応用への埋込みを提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  対称性 ,  電圧 ,  印刷 ,  アルミニウム ,  非対称性 ,  *電子技術 ,  双安定性 ,  活性層 ,  原子間力顕微鏡 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ReRAM ,  酸化グラフェン(GO) ,  PEDOT:PSS ,  不揮発性メモリ(NVM)

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： PEDOT ,  PSS ,  作製 ,  不揮発性 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  ReRAM ,  スイッチング特性