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J-GLOBAL ID：202202227955919217   整理番号：22A0976804

炭素共注入シリコンにおけるアップヒルリン拡散【JST・京大機械翻訳】

Uphill phosphorus diffusion in carbon co-implanted silicon

著者 (5件)： Dumas P. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Duguay S. (Universite de Rouen, GPM, UMR CNRS 6634 BP 12, Avenue de l’Universite, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray, France) ,  Hilario F. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Gauthier A. (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Blavette D. (Universite de Rouen, GPM, UMR CNRS 6634 BP 12, Avenue de l’Universite, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray, France)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 11  ページ： 115102-115102-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リンに関連する興味深い上り坂拡散現象を炭素共注入シリコンで観察した。この現象を,透過Electron顕微鏡,二次イオン質量分析および原子プローブトモグラフィーを用いて調べた。著者らの結果は,イオン注入によって誘起された非晶質層の再結晶が終わると,上り坂拡散が結晶シリコン中で起こることを示した。この現象は,急勾配,高濃縮,および電気活性ドーパントピークの形成をもたらした。1次元モデルを用いて,ピーク形成の根底にある機構を理解した。注入領域を横切る自己格子間の不均一濃度は上り坂拡散現象の原因であることを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *拡散 ,  再結晶 ,  *ケイ素 ,  *炭素 ,  *リン ,  注入 ,  イオン注入 ,  非晶質 ,  一次元 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： *共注入 ,  原子プローブトモグラフィー ,  電気活性 ,  拡散現象 ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素 ,  共注入 ,  シリコン ,  拡散