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J-GLOBAL ID：202202228403953437   整理番号：22A0152487

スーパーキャパシタ用の自立3Dホーリーグラフェンフレームワーク上のin situ成長とアンカリングNiCo_2O_4ナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

In situ growth and anchoring NiCo₂O₄ nanowires on self-supported 3D holey graphene framework for supercapacitor

著者 (7件)： Jiang Yunlong (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Li Xinyu (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Liu Fangyuan (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Wang Bing (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Zhou Wenquan (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Dong Shanxu (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Fan Xin (College of Science & Ministry-province jointly-constructed cultivation base for state key laboratory of Processing for mom-ferrous metal and featured materials & Key Lab. of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 576  号： PA  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ擬似容量材料および高導電性フレキシブル三次元(3D)穴炭素からなる高エネルギースーパーキャパシタ(SC)の開発は,現在の研究ホットスポットである。しかし,系の成分と層状界面の不安定性の間の不十分な分散はしばしば低い界面電荷移動能力と低い性能をもたらす。ここでは,3D自己支持フレキシブル構造を,容易なソルボサーマル反応とそれに続くAr雰囲気下でのアニーリングにより,3Dホールグラフェン(3DHG)骨格(3DHG/NCO)上に固定された酸化グラフェン量子ドット(GOQD)誘起その場成長NiCo_2O_4(NCO)ナノワイヤを仕立てることによって設計した。GOQD誘起in situ成長の方法は,NCOナノワイヤの分散の問題を効果的に取り扱うだけでなく,構造安定性を改善し,そして,NCOと炭素骨格の間の十分な接続のため,界面接触抵抗を減少させ,そしてそれは,体積変化の影響を,効果的に除去し,そして,大きな擬似容量を達成した。さらに,3DHGはイオン/電子の拡散のためのアクセス可能な活性部位と縦方向チャネルを提供し,電気二重層キャパシタ(EDLCs)の形成を大きく加速する。したがって,静電容量は,擬似容量性のものに加えて,EDLC機構によって改善できる。このような顕著な特徴に基づき,得られた3DHG/NCO電極は高い比容量(1A g-1で1118F g-1)と優れた静電容量保持(5000サイクル後に95.04%)を示した。作製した3DHG/NCO対称デバイスは1Ag-1で270Fg-1の比容量を示し,250Wkg-1で9.37Whkg-1の優れたエネルギー密度を示した。さらに,組み立てたSCは,異なる屈曲度の下で安定した電気化学的性能を維持した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  酸化 ,  焼なまし ,  対称性 ,  炭素 ,  活性部位 ,  静電容量 ,  柔構造 ,  エネルギー密度 ,  *三次元 ,  *ナノワイヤ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *スーパーキャパシタ ,  比容量 ,  擬似容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NiCo_2O_4 ,  酸化グラフェン量子ドット ,  ホーリーグラフェン ,  三次元骨格 ,  フレキシブルスーパーキャパシタ

分類 (1件)： 静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： スーパーキャパシタ ,  自立 ,  3D ,  成長 ,  アンカリング ,  ワイヤ