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J-GLOBAL ID：202202228611510066   整理番号：22A1082391

NiFe_2O_4抵抗メモリデバイスにおける単極およびバイポーラ抵抗スイッチングの共存の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding the coexistence of unipolar and bipolar resistive switching in NiFe₂O₄ resistive memory devices

著者 (7件)： Li Jiacheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Yao Chuangye (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Ke Yifu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Huang Wenhua (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Thatikonda Santhosh Kumar (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Qin Ni (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Bao Dinghua (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 13  ページ： 133501-133501-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,パルスレーザー蒸着により調製したスピネルフェライトNiFe_2O_4膜を用いて,単極抵抗スイッチング(URS)とバイポーラ抵抗スイッチング(BRS)の共存を有するPt/NiFe_2O_4/Ptデバイスを作製した。このデバイスはURSとBRSモードの下で不揮発性で安定な抵抗スイッチング(RS)特性を示した。電流-電圧(I-V)フィッティング解析と温度依存性測定は,1つのPt/NiFe_2O_4/Pt RRAMセルがURSとBRSモードの下で2つの著しく異なるRSとキャリア輸送機構に従うことを示唆した。URSモードの下で,キャリア機構は,ショットキー発光による高抵抗状態(HRS)とオーム機構による低抵抗状態(LRS)の間で交互であった。対照的に,BRSモードの下で,HRSとLRSでのキャリア輸送は,空間電荷制限電流と最近接ホッピングによってそれぞれ支配される。最後に,単一Pt/NiFe_2O_4/Pt RRAMデバイスにおける2つの異なるRSとキャリア輸送機構の共存をさらに明らかにするために,酸素イオン(O2-)移動とCOMSOL Multiphysicsによってシミュレートした電場分布を組み合わせた物理モデルを提案した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  空間電荷制限電流 ,  *スイッチング ,  電圧 ,  電流 ,  発光 ,  輸送現象 ,  温度依存性 ,  モデル ,  ホッピング伝導 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 電界分布 ,  キャリア輸送 ,  物理モデル ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  酸素イオン ,  COMSOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗メモリ ,  極 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  共存 ,  理解