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J-GLOBAL ID：202202228897719481   整理番号：22A0427822

DCプラズマスパッタリング法によって作製したNb_2O_5膜の電気的性質に及ぼすAlドープの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Al-Doped on the Electrical Properties of Nb₂O₅ Film Prepared by DC. Plasma Sputtering Technique

著者 (3件)： Jassim Oras A. (Ministry of Science and Technology, Center of Applied Physics Baghdad Iraq) ,  Mutter Mahdi M. (Ministry of Science and Technology, Center of Applied Physics Baghdad Iraq) ,  Khalil Souad (2College of Science for Women, University of Baghdad, Iraq, Iraq)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 1050  ページ： 21-33  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)の(0.5,1,1.5)%wt%で共ドープした酸化ニオブ(Nb_2O_5)薄膜をDCによりガラス基板上に調製した。スパッタリングプラズマ技術。透明の構造,表面形態,光学的および電気的性質に及ぼすAl濃度の影響を調べた。(001),(100),(101),(002)および(111)面に沿った優先配向で,第二相のない多結晶構造を観察した。(001)ピークから決定された結晶サイズは,範囲(20~50)の2θであり,Nb_2O_5:Al膜の全ての膜は擬六方晶相を有した。Alドーピングは結晶サイズを低下させたが,0.5%Al試料では結晶サイズはわずかに増加した。また,SEM画像から,Alドープ後の粒径の増加が観察された。最小抵抗率は1.5%Al濃度でドープしたNb_2O_5に対して4.79x104(Ω.cm)であり,最大抵抗率は純Nb_2O_5に対して(4.86x104(Ω.cm))であることが分かった。1.5%Al濃度の最適レベルへのドーピングはNb_2O_5の電気伝導率を増加させた。移動度は減少したが,試料1.5%Al濃度は増加し,キャリア濃度はAl添加の増加と共に増加したが,試料1.5%Al濃度は減少した。Hall係数の解析は,Nb_2O_5:Al膜がn型であることを示した。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  光学的性質 ,  電気抵抗率 ,  電気伝導率 ,  薄膜 ,  *アルミニウム ,  酸化ニオブ ,  多結晶 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  優先配向 ,  *スパッタ蒸着
準シソーラス用語： 表面形態 ,  ガラス基板 ,  SEM画像 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気的性質 ,  光学特性 ,  透明な酸化ニオブ ,  DCスパッタリング技術 ,  Alドープの効果

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： DCプラズマ ,  スパッタリング法 ,  作製 ,  電気的性質 ,  Al ,  ドープ