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J-GLOBAL ID：202202229134856828   整理番号：22A0732768

制御された残留応力を有する重ドーピングによる電気抵抗率と熱伝導率の同時低減により得られたデラフォサイト系CuCrO_2薄膜の新しい記録高熱電ZT【JST・京大機械翻訳】

New record high thermoelectric ZT of delafossite-based CuCrO₂ thin films obtained by simultaneously reducing electrical resistivity and thermal conductivity via heavy doping with controlled residual stress

著者 (24件)： Van Hoang Dung (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Van Hoang Dung (Center for Innovative Materials and Architectures, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Van Hoang Dung (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Tuan Thanh Pham Anh (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Tuan Thanh Pham Anh (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Baba Takahiro (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Baba Takahiro (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Huu Nguyen Truong (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Huu Nguyen Truong (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Bao Nguyen Le Thu (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Bao Nguyen Le Thu (Department of Mathematics and Physics, University of Information Technology, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Dieu Thi Ung Thuy (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, Hanoi, Vietnam) ,  Hong Jongill (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Korea) ,  Bae Jong-Seong (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan 46742, Republic of Korea) ,  Park Hongjun (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Park Sungkyun (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Ohkubo Isao (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Mori Takao (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Mori Takao (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Cao Tran Vinh (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Cao Tran Vinh (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Bach Phan Thang (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Bach Phan Thang (Center for Innovative Materials and Architectures, HoChiMinh City, Vietnam) ,  Bach Phan Thang (Vietnam National University, HoChiMinh City, Vietnam)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 583  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学は熱電(TE)材料のバンド構造を効果的に調節し,それによってその力率S2σを高めることができる。さらに,残留応力工学は,特に平面技術において,膜性能に影響を及ぼす。TE MgドープCuCrO_2系材料では,顕著な性能指数ZTの達成における限界は,それらの特徴的に低い電荷キャリア移動度と高い熱伝導率から生じる。ここでは,前述の限界を克服するために,異なる堆積温度でx=0.15の重ドーピングCuCr_1-xMg_xO_2による欠陥工学と応力工学の組合せを提案した。圧縮残留応力とマルチスケール欠陥(点欠陥,結晶粒界,およびナノ介在物)との組合せは,熱伝導率(κ)を0.44W/mKまで著しく低下させる。膜のσは,重ドーピングにより導入された点欠陥のために顕著な増強を示した。特に,圧縮応力膜は,引張応力膜と比較して,より高いZT値を示した。その結果,圧縮応力CuCr_0.85Mg_0.15O_2膜において,0.66の顕著な近似ZTが観察され,過去20年間観測されたZT値の限界を克服した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  結晶粒界 ,  *残留応力 ,  バンド構造 ,  *電気抵抗率 ,  点欠陥 ,  *熱伝導率 ,  *薄膜 ,  近似法 ,  *ドーピング ,  引張応力 ,  圧縮応力 ,  介在物
準シソーラス用語： マルチスケール ,  *デラフォサイト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： デラフォサイトMgドープCuCrO_2材料 ,  欠陥工学 ,  残留応力 ,  低熱伝導率 ,  高ZT

分類 (4件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 残留応力 ,  ドーピング ,  電気抵抗率 ,  熱伝導率 ,  デラフォサイト ,  薄膜 ,  高熱