文献

J-GLOBAL ID：202202229275866720   整理番号：22A0909525

プラズマ増強原子層蒸着により成長させたAlN膜における酸素取込み【JST・京大機械翻訳】

Oxygen incorporation in AlN films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition

著者 (2件)： Gungor Nese (Physics Department, Marmara University, Goztepe, Istanbul 34722, Turkey) ,  Alevli Mustafa (Physics Department, Marmara University, Goztepe, Istanbul 34722, Turkey)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 40  号： 2  ページ： 022404-022404-10  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素は原子層堆積(ALD)により堆積したIII-窒化物膜の不純物としてしばしば検出される。酸素の存在は,AlNの構造及び光学特性に深く好ましくない影響を与える。交互H_2プラズマによる中空カソードプラズマ支援ALDによって調製したAlN膜における酸素取り込みを研究した。H_2プラズマ流の添加時の膜のO濃度の減少を報告した。しかし,H_2プラズマ流の増加は,O取り込みをさらに減少しなかった。膜組成は,N_2/H_2プラズマを用いて堆積したAlN膜の表面と表面下でほぼ一定になった。N_2/H_2プラズマで成長させた試料のみが表面からバルク膜への酸素濃度の減少を示した。酸素は,構造,化学,および電気的性質において重要な改質をもたらす。Al2p,N1sおよびO1s高分解能X線光電子スペクトルは,AlN膜がAl-N,Al-OおよびN-Al-O結合から成ることを示した。X線光電子分光データは,N_2プラズマを用いるとAlN膜の組成がAlON+AlNに変化することを示唆した。AlN膜の価電子帯最大位置は,約1.7eVで,酸素原子濃度~20at%であった。TOとLOフォノンモードは,酸素汚染~20at%のAlN膜に存在し,高い酸素汚染(約55at%)で消滅した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *プラズマ ,  表面 ,  不純物 ,  プラズマ流 ,  汚染 ,  電気的性質 ,  *酸素 ,  X線光電子スペクトル ,  価電子バンド ,  *窒化アルミニウム ,  高分解能 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  LOフォノン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  増強 ,  原子層蒸着 ,  成長 ,  AlN ,  酸素 ,  取込み