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J-GLOBAL ID：202202229791002846   整理番号：22A1148366

TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵SiC MOSFET電気特性のSBD面積依存性解析

Analysis of SBD Area Dependence of Electrical Characteristics in 1.2 kV SBD-embedded SiC MOSFETs Using TCAD Simulations

著者 (5件)： 高橋光希 (筑波大) ,  柏佳介 (筑波大) ,  松井ケビン (筑波大) ,  矢野裕司 (筑波大) ,  岩室憲幸 (筑波大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.4-004  発行年： 2022年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・SiC-MOSFET内蔵JBS(接合障壁制御Schottky)ダイオードの面積のMOSFET特性に及ぼす影響評価。
・TCADシミュレーションによる内蔵JBSダイオードの順方向J-V特性,ターンオン特性,負荷短絡特性の数値計算実施。
・SBDの面積増大に伴うユニポーラ動作持続による逆回復電流低減,熱電界放出による漏れ電流増大,負荷短絡耐性劣化等の判明。

シソーラス用語： CAD【計算機】 ,  計算機シミュレーション ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  *電気特性 ,  計算モデル ,  面積
準シソーラス用語： TCAD

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (4件)：

• Y. Kobayashi et al., IEEE IEDM Tech., Dig., pp.211-214, (2017)
• 東芝デバイス&テクノロジ(株)ホームページ, (2020)
• K. Matsui et al., in Proc. ISPSD2021, pp.215-218, (2021)
• M. Okawa et al., IEEE J. of EDS, vol.7, pp.613-620 (2019)

タイトルに関連する用語 (9件)： TCAD ,  シミュレーション ,  SBD ,  SiC ,  MOSFET ,  電気特性 ,  面積 ,  依存性 ,  解析