MacEtchを用いたSi微細加工におけるHF-H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>濃度比の効果

村田恭輔; 伊藤健; 新宮原正三; 清水智弘

文献

J-GLOBAL ID：202202229934492037 整理番号：22A1073895

MacEtchを用いたSi微細加工におけるHF-H₂O₂濃度比の効果

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巻： 26th ページ： 95-97 発行年： 2022年01月26日
JST資料番号： L3214A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

三次元実装LSIで用いられるSi貫通電極(TSV)の形成には現在D-RIEに代表される真空プロセス・高加工コストであるドライエッチング法が主に用いられている。そこで我々は安価でバッチ処理が可能な選択的湿式エッチング法であるMacEtchに着目しTSVホール形成を試みた。本研究ではSi(100)基板上にMacEtchで形成した垂直マイクロスケールホールのエッチング形状に対するエッチング溶液の濃度効果を電子顕微鏡を用いて調査した。(著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (20件)：

G.E. Moore, ”No exponential is forever: but ”forever” can be delayed!”, ISSCC Dig. Tech. Papers (2003).
M. Motoyoshi, ”Through-Silicon Via (TSV),” IEEE, vol. 97, no. 1, pp. 43-48 (2009).
M. Koyanagi, H. Kurino, K. W. Lee, K. Sakuma, N. Miyakawa, H. Itani, ”FUTURE SYSTEM - ON - SILICON LSI CHIPS,” IEEE MICRO, vol. 18, pp. 17-22 (1998).
G. Katti, M. Stucchi, K. De Meyer, and W. Dehaene, ”Electrical Modeling and Characterization of Through Silicon via for Three-Dimensional ICs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 57, no. 1, pp. 256-262 (2010).
F. Inoue et al., ”Electrochimica Acta Formation of electroless barrier and seed layers in a high aspect ratio through-Si vias using Au nanoparticle catalyst for all-wet Cu filling technology,” Electrochim. Acta, vol. 56, no. 17, pp. 6245-6250 (2011).

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MacEtchを用いたSi微細加工におけるHF-H2O2濃度比の効果

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