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J-GLOBAL ID：202202230020487654   整理番号：22A0396684

P-ドリフト層を有する垂直ダイヤモンドトレンチMOSFETにおける580V破壊電圧【JST・京大機械翻訳】

580 V Breakdown Voltage in Vertical Diamond Trench MOSFETs With a P^- -Drift Layer

著者 (6件)： Tsunoda Jun (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Niikura Naoya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Ota Kosuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Morishita Aoi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Hiraiwa Atsushi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Kawarada Hiroshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 88-91  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターは,p-ドリフト層を有する大電流および高電圧(001)垂直型二次元正孔ガス(2DHG)ダイヤモンドトレンチ金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の成功した実証を報告する。作製したトランジスタは,210mA/mmの最大ドレイン電流密度,61cm2V-1s-1の電界効果移動度および23mΩcm2の比オン抵抗を示した。さらに,ゲート-ドレイン長さ10μmの580Vの高い絶縁破壊電圧が得られ,これは,今日まで,垂直型ダイヤモンドMOSFETで報告された最高値である。これらの特性は,p-ドリフト層を用いた垂直型ダイヤモンドMOSFETが,高い絶縁破壊電圧と低いオン抵抗を有するpチャネルパワーデバイスを実現するために使用できることを示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  トランジスタ ,  半導体 ,  *ダイヤモンド ,  酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MOSFET ,  *ドリフト ,  垂直型 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  ドレイン電流 ,  *絶縁破壊電圧 ,  二次元正孔ガス ,  大電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドリフト ,  垂直 ,  ダイヤモンド ,  トレンチ ,  MOSFET ,  破壊電圧