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J-GLOBAL ID：202202230026461312   整理番号：22A0322399

ALD Al_2O_3/(α-,ε-)Ga_2O_3界面のバンドアラインメントに及ぼす酸素源の影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of oxygen source on band alignment of ALD Al₂O₃/(α-, ε-)Ga₂O₃ interface

著者 (16件)： Zuo Yan (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Feng Qian (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Feng Qian (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Tao (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Luo HaiFeng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Tian Xusheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Cai Yuncong (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Gao Yangyang (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Chunfu (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Chunfu (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhou Hong (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhou Hong (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_2O_3膜を,異なるプラズマ酸素源(H_2O,O_3,O_2プラズマ)中で原子層堆積(ALD)によりα-およびε-Ga_2O_3膜上に蒸着した。α-およびε-Ga_2O_3膜を,それぞれ,ミスト化学蒸着(Mist-CVD)およびパルスレーザ蒸着(PLD)によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させた。エピ層特性を高分解能X線回折(HRXRD),原子間力顕微鏡(AFM)及び高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)により調べた。さらに,Al_2O_3/α-Ga_2O_3とAl_2O_3/ε-Ga_2O_3のエネルギーバンド図をX線光電子分光法(XPS)により調べた。α-およびε-Ga_2O_3価電子帯スペクトルと同様にGa3dおよびAl2pコアレベルスペクトルに基づいて,Al_2O_3/α-Ga_2O_3およびAl_2O_3/ε-Ga_2O_3界面のエネルギーバンド図を決定した。そして,Al_2O_3/α-Ga_2O_3界面の伝導バンドオフセットは,H_2O,O_3およびO_2プラズマの酸化剤に対して,それぞれ1.21/1.31/1.27eVであると見積もられ,一方,Al_2O_3/ε-Ga_2O_3のそれは1.61/1.72/1.7eVであり,O_3およびO_2プラズマによって成長したAl_2O_3の伝導バンドオフセットは,H_2Oによって成長したものより高かった。また,すべての試料の伝導バンドオフセットは1eVより大きく,ALDによって成長したAl_2O_3が(α-,ε-)Ga_2O_3パワーデバイスにおけるゲート誘電体として使用できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  プラズマ ,  *酸素 ,  スペクトル ,  価電子バンド ,  化学蒸着 ,  ミスト ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  バンドオフセット ,  パルスレーザ蒸着 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  エピタキシャル層 ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1.X線回折 ,  A1.バンドアラインメント ,  A3 酸素源 ,  B1.ガリウム化合物 ,  B2 誘電材料

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  界面 ,  バンドアラインメント ,  酸素