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J-GLOBAL ID：202202230304964038   整理番号：22A0909116

極端に低い漏れ電流と2.55kVの高ブロッキング電圧を有するAlGaNチャネルSchottky障壁ダイオードの電流輸送機構【JST・京大機械翻訳】

Current transport mechanism of AlGaN-channel Schottky barrier diode with extremely low leakage current and high blocking voltage of 2.55 kV

著者 (11件)： Zhang Tao (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang Yanni (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Li Ruohan (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Lu Juan (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Su Huake (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Xu Shengrui (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Su Kai (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Duan Xiaoling (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Lv Yueguang (School of Aerospace Science and Technology, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang Jincheng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 9  ページ： 092102-092102-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターは,印象的な逆ブロッキング特性と低い開始電圧(V_ON)を有する横方向AlGaNチャネルSchottky障壁ダイオード(SBD)に関する研究を示す。アノードとして高Al組成と低仕事関数金属を有するAlGaN背面障壁層を利用して,28nA/mmの低い逆電流(I_R)と0.60Vの低いV_ONを得た。30μmのアノード-カソード距離(L_AC)を有する製作したAlGaN-チャネルSBDは,2.55kVの高いブロッキング電圧と363MW/cm2の電力性能指数を達成した。一方,AlGaNチャネルSBDの電流輸送機構は,熱電子放出,熱電子電界放出,および逆バイアスが徐々に増加するのでトラップ支援トンネリングを通過した。熱活性化エネルギー(E_A)は,高い逆バイアスで141.3meVと計算された。475KでのI_Rは3μA/mmであり,低いV_ONでも高温での整流に対する適切な障壁高さを示した。AlGaNチャネルSBDは,バランスの取れた前進および逆特性を有する次世代電力エレクトロニクスに対して大きな有望性を示す。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  仕事関数 ,  *電圧 ,  電界放出 ,  トンネル効果 ,  電力 ,  *アルミニウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  高さ ,  *漏れ電流 ,  *ブロッキング ,  バイアス ,  アノード ,  カソード
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 漏れ電流 ,  ブロッキング ,  AlGaN ,  チャネル ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流輸送