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J-GLOBAL ID：202202230349047598   整理番号：22A0728451

Arガス添加剤による「ブラックシリコン」の低温無マスクエッチングの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Cryogenic Unmasked Etching of “Black Silicon” with Ar Gas Additives

著者 (9件)： Vyacheslavova Ekaterina A. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Morozov Ivan A. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Kudryashov Dmitri A. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Uvarov Alexander V. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Baranov Artem I. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Maksimova Alina A. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Abolmasov Sergey N. (R&D Center of Thin Film Technologies (Hevel LLC), Russia) ,  Gudovskikh Alexander S. (Alferov University (Saint Petersburg Academic University), Russia) ,  Gudovskikh Alexander S. (Saint Petersburg Electrotechnical University ≪LETI≫, Russia)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 7  号： 7  ページ： 6053-6057  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Arガス添加物がγ′ブラックシリコン≫形成に及ぼす影響を示した。低Ar希釈を用いてSi集合組織の円錐形状を達成する方法を実証した。また,高密度のアレイを維持するシリコンナノワイヤ幅低減の可能性も示した。ArプラズマによるSi構造への損傷は検出されなかった。プラズマへのArの導入は電気的性質に影響しなかった。5sccmのAr流による極低温エッチング後の寿命値は0.7msの同じレベルを維持した。得られた黒シリコンは,全100mmのSiウエハ表面で450~1000nmの範囲で1±0.5%の低い全反射率を有した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  プラズマ ,  集合組織 ,  *低温 ,  電気的性質 ,  *アルゴン ,  ケイ素 ,  円錐 ,  希釈 ,  極低温 ,  全反射
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  高密度 ,  シリコンナノワイヤ ,  *アルゴンガス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Arガス ,  添加剤 ,  ブラックシリコン ,  低温 ,  マスクエッチング ,  研究