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J-GLOBAL ID：202202230433622805   整理番号：22A1101841

DoEによる過酷環境MEMSのためのSiCインターポーザとディープSiCエッチングのための炭化ケイ素ビア(TSiCV)によるエッチングの研究とモデリング【JST・京大機械翻訳】

Investigation and Modeling of Etching Through Silicon Carbide Vias (TSiCV) for SiC Interposer and Deep SiC Etching for Harsh Environment MEMS by DoE

著者 (8件)： Mackowiak Piotr (Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany) ,  Erbacher Kolja (Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany) ,  Schiffer Michael (Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany) ,  Manier Charles-Alix (Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany) ,  Topper Michael (Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany) ,  Ngo Ha-Duong (Department of Microsystems Engineering, University of Applied Science Berlin, Berlin, Germany) ,  Schneider-Ramelow Martin (Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany) ,  Lang Klaus-Dieter (Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 12  号： 3  ページ： 437-445  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,SiCベースのマイクロシステムのための形成と深エッチングのための炭化ケイ素(SiC)の乾式エッチングのプロセス開発と最適化に関する主要な結果を提示する。プロセス開発の研究および対応する結果は,フリップチップ搭載ディープエッチングマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)SiCデバイスを有するSiCインターポーザから成る完全SiCベース技術デモンストレータの最初の実現を可能にした。このプロセスを最適化することにより,エッチングによりエッチング速度2μm/minまで200μmのエッチング深さを達成できる。さらに,7つの因子を有する合計29の実験での実験計画法(DoEs)を,SiCへの大きな領域の深いエッチングを特性評価するために行った。ここでは,低いマイクロマスク,低いマイクロトレンチおよび4μm/minまでのエッチング速度を有する垂直側壁を達成できた。銅メタライゼーションを有する厚さ200μmのSiCインターポーザを手に開発するために,発見と最適化プロセスを実行した。一方,SiC-MEMSデバイスを50μmの薄膜で成形したSiCバルクウエハ中の深いエッチング空洞で製作した。結果は,高いエッチング速度を有する単結晶SiCのエッチング能力を実証し,過酷な環境MEMSと高出力エレクトロニクスの新しい基本的トポロジー/構造とパッケージング概念を可能にした。開発したエッチング技術は,SiCの優れた電気的および機械的性質を利用して,広いバンドギャップ基板との3D統合のための様々な応用を実証し,可能にする。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  最適化 ,  薄膜 ,  銅 ,  *炭化ケイ素 ,  *モデリング ,  フリップチップ法 ,  電子技術 ,  メタライゼーション ,  三次元 ,  ドライエッチング ,  バンドギャップ ,  *MEMS
準シソーラス用語： *インターポーザ ,  エッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： DOE ,  過酷環境 ,  MEMS ,  SiC ,  インターポーザ ,  エッチング ,  炭化ケイ素 ,  研究 ,  モデリング