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J-GLOBAL ID：202202230509121408   整理番号：22A0909145

深紫外線Al_0.6Ga_0.4N p-i-nアバランシェフォトダイオードの絶縁破壊特性【JST・京大機械翻訳】

Breakdown characteristics of deep-ultraviolet Al_0.6Ga_0.4N p-i-n avalanche photodiodes

著者 (9件)： Jeong Hoon (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Cho Minkyu (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Xu Zhiyu (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Mehnke Frank (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Bakhtiary-Noodeh Marzieh (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Detchprohm Theeradetch (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Shen Shyh-Chiang (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  Otte Nepomuk (School of Physics, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332-0430, USA) ,  Dupuis Russell D. (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 10  ページ： 103102-103102-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップ照明深紫外Al_0.6Ga_0.4N p-i-nアバランシェフォトダイオード(APD)構造を設計し,AlNバルク基板上の有機金属化学蒸着により成長させ,2つの異なる品質AlN/サファイアテンプレートとAPDを作製し試験した。20μmの円形直径を有するAPDデバイスは,独特の逆バイアス破壊挙動を示した。APDの逆絶縁破壊電圧は約-140Vであり,これはSilvaco TCADシミュレーションで推定したAl_0.6Ga_0.4N材料に対して6~6.2MV/cmの絶縁破壊電場に対応する。AlNバルク基板上に成長したAPDは,AlNテンプレート上に成長したデバイスと比較して,<1×10-8A/cm2(低い逆バイアスで)の最低漏れ電流密度を示した。光電流測定から,1.2×104の最大利得(電流制限)を計算した。絶縁破壊電圧の平均温度係数は,AlNバルク基板とAlNテンプレートの両方から作製したAPDデバイスに対して負であるが,これらのデータは,低転位密度AlNバルク基板上に成長したAPDデバイスに対して,係数が最小負であることを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *絶縁破壊 ,  電圧 ,  電場 ,  転位密度 ,  利得 ,  窒化アルミニウム ,  電流制限 ,  MOCVD ,  *アバランシェフォトダイオード ,  電流測定 ,  温度係数
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  絶縁破壊電圧 ,  逆バイアス ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 深紫外線 ,  アバランシェフォトダイオード ,  絶縁 ,  破壊特性