文献

J-GLOBAL ID：202202230632271577   整理番号：22A0780683

低温ポリSiおよび酸化物(LTPO)TFTハイブリッド技術に基づく低電力およびIRドロップ補償可能AMOLEDピクセル回路【JST・京大機械翻訳】

A Low Power and IR Drop Compensable AMOLED Pixel Circuit Based on Low-Temperature Poly-Si and Oxide (LTPO) TFTs Hybrid Technology

著者 (7件)： Qiu Hezi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  An Junjun (Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Wang Kun (Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Liao Congwei (Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Dai Chao (Research and Development Center, TCL China Star Optoelectronics Technology Company Ltd., Wuhan, China) ,  Zhang Xin (Research and Development Center, TCL China Star Optoelectronics Technology Company Ltd., Wuhan, China) ,  Zhang Shengdong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 10  ページ： 51-58  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低温多結晶シリコンと酸化物(LTPO)薄膜トランジスタ(TFTs)ハイブリッド技術に基づくAMOLED画素回路を提案し,OLEDと直列接続した2つのトランジスタのみを特徴とする。電源は,通常,現在の経路で3つのトランジスタを持ち,より高い供給電圧を必要とする,以前のLTPOピクセル回路と比較して,”Always-on-Display”(AOD)モードで25≦550%削減できる。さらに,V_th変動/シフトに対する強い抑制能力に加えて,提案した画素回路は,電流抵抗電圧降下(即ち,IR降下)に対する優れた補償能力を持ち,また,IR液滴が外部で補償されなければならない以前のLTPOのものより優れている。したがって,提案したLTPOピクセル回路は,以前のものより低い電力消費とより高い表示性能を有するAMOLEDディスプレイを提供できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  *低温 ,  トランジスタ ,  特性 ,  *酸化物 ,  電力消費 ,  薄膜トランジスタ ,  直列接続 ,  モード ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  *低電力化 ,  *ピクセル回路 ,  *AMOLED ,  AMOLEDディスプレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低温 ,  ポリSi ,  酸化物 ,  TFT ,  低電力 ,  Ir ,  ドロップ ,  補償 ,  AMOLED ,  ピクセル回路