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J-GLOBAL ID：202202230936003086   整理番号：22A0801180

炭素ドーピングとプログラムパルスを用いた信頼性のあるGe_2Sb_2Te_5系相変化電子シナプス【JST・京大機械翻訳】

Reliable Ge₂Sb₂Te₅ based phase-change electronic synapses using carbon doping and programmed pulses

著者 (11件)： Wang Qiang (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Niu Gang (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Wang Ruobing (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Luo Ren (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Ye Zuo-Guang (Department of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, V5A 1S6, Canada) ,  Bi Jinshun (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, The Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Bi Jinshun (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Li Xi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Ren Wei (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)
資料名： Journal of Materiomics  (Journal of Materiomics)
巻： 8  号： 2  ページ： 382-391  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3540A  ISSN： 2352-8478  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)に基づくハードウェア電子シナプスと神経刺激コンピューティングシステムは,大規模な調査を引きつけた。しかし,固有非対称可逆相転移のために,同調範囲,線形性および連続性の側面におけるPCRAMシナプスの欠陥重み更新は,回路およびアルゴリズムのシステムレベル複雑性を長く要求した。セルレベル改善は,システムを大きくし,効率的な計算を達成した。本研究では,材料工学とパルスプログラミングを組み合わせることにより,Ge_2Sb_2Te_5(GST)ベースのPCRAMシナプスの大きな増強について報告する。GST中の炭素ドーピングは相変化速度を遅延させ,コンダクタンスの可制御性を増加させ,一方,非線形プログラマブルパルス励起は,最終的に信頼できるシナプス増強と沈降に導くことができることを見出した。スパイクタイミング依存塑性のための一組の改良プログラマブルパルス方式を示し,柔軟なプログラミングと信頼できるデータ収集におけるその潜在的優位性を示唆した。著者らの方法と結果は,PCRAM電子シナプスと高性能ニューロインスパイアコンピューティングを実行するために非常に重要である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルゴリズム ,  位相シフト ,  塑性 ,  *相転移 ,  励起 ,  計算機システム ,  可制御性 ,  *シナプス ,  非対称性 ,  *ドーピング ,  ハードウェア ,  *パルス ,  データ収集 ,  RAM【メモリ】 ,  コンダクタンス

著者キーワード (5件)： プログラム可能なシナプス ,  シナプスシミュレーション ,  PCRAM ,  CドープGe_2Sb_2Te_5 ,  電子シナプス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素ドーピング ,  パルス ,  相変化 ,  電子 ,  シナプス