文献

J-GLOBAL ID：202202231092048706   整理番号：22A0752564

高荷電シリコンイオンの電子衝撃励起と二電子再結合速度係数の計算【JST・京大機械翻訳】

Calculations of electron-impact excitation and dielectronic recombination rate coefficients of highly charged silicon ions

著者 (5件)： Xie L. Y. (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics and Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, People’s Republic of China) ,  Rui J. L. (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics and Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, People’s Republic of China) ,  Zhang J. M. (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics and Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, People’s Republic of China) ,  Schuch R. (Department of Physics, Stockholm University, AlbaNova University Center, SE-10691 Stockholm, Sweden) ,  Dong C. Z. (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics and Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, People’s Republic of China)
資料名： Physical Review. A  (Physical Review. A)
巻： 105  号： 1  ページ： 012823  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0323D  ISSN： 2469-9926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相対論的歪波法を用いて,H状からBe様シリコンイオン([数式:原文を参照])への二電子再結合と電子衝撃励起過程の速度係数を計算した。K-シェル励起による顕著な[数式:原文を参照]と弱い[数式:原文を参照]と3つの二電子再結合(DR)共鳴を示し,[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]イオンの既存のDR実験速度係数と比較して,理論的DR速度係数は実験結果と非常に良く一致することが分かった。同じアプローチで,[数式:原文を参照]コア励起に関連した直接および共鳴電子衝撃励起(EIE)断面積を[数式:原文を参照]イオンの基底状態に対して計算し,利用可能な実験との良好な一致を見出した。最後に,Siの全検出[数式:原文を参照]電荷状態の和に対する合成DRとEIE速度係数を示し,これらは実験結果と良く一致した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  基底状態 ,  共鳴 ,  速度 ,  断面積 ,  *電荷 ,  *電子衝突 ,  *励起 ,  ケイ素 ,  相対論 ,  歪波 ,  コア励起 ,  *二電子性再結合
準シソーラス用語： *ケイ素イオン ,  荷電状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子と光子の相互作用  (BH03060F) ,  電子との衝突・散乱  (BH04030F) ,  物理化学一般  (CB01010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 荷電 ,  シリコンイオン ,  電子衝撃 ,  励起 ,  二電子再結合 ,  計算