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J-GLOBAL ID：202202231577661223   整理番号：22A0728664

気相法により表面ドープした共役高分子薄膜における伝導率の半結晶性構造相関【JST・京大機械翻訳】

Semicrystalline Structural Correlations of Conductivity in Conjugated Polymer Thin Films Surface-Doped by the Vapor Phase Method

著者 (5件)： Futamata Kai (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Japan) ,  Onodera Tsunenobu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Japan) ,  Yamamoto Shunsuke (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Japan) ,  Mitsuishi Masaya (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Japan) ,  Oikawa Hidetoshi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Japan)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 2  ページ： 755-760  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： π-共役高分子(P3HT)薄膜を気相法によりフルオロアルキルトリクロロシラン(FTS)で表面ドープした。電子特性,すなわち,電気伝導率,キャリア密度,およびキャリア移動度などの半結晶性構造変化を,表面ドーピング前後のFTSの量の関数として評価した。伝導率は,最大で約4桁の因子によってかなり増強され,キャリア密度を掛け,同時にキャリア移動度は減少した。キャリア密度の増加は,FTSのLewis酸性度により誘起された電子移動のため,P3HTとFTS間の直接相互作用によることが分かった。他方,キャリア移動度の減少は,FTSの表面ドーピング中のP3HTにおける半結晶構造の妨害および/または不規則化によって引き起こされた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  相互作用 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  *共役 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  *気相 ,  電子移動 ,  X線光電子分光法 ,  *準結晶 ,  *高分子薄膜
準シソーラス用語： *共役重合体 ,  構造変化 ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： 共役高分子 ,  ポリ(アルキルチオフェン) ,  フルオロアルキルトリクロロシラン ,  表面ドーピング ,  伝導率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  X線光電子分光法 ,  半結晶性構造

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 気相 ,  ドープ ,  共役 ,  高分子薄膜 ,  伝導率 ,  半結晶性 ,  相関