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J-GLOBAL ID：202202232250021362   整理番号：22A0396302

ゾルゲルインジウムルビジウム亜鉛酸化物TFTのトラップ状態に及ぼす熱蒸着の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Thermal Postdeposition on Trap States in Sol-Gel Indium-Zinc Oxide TFTs

著者 (5件)： Chatterjee Neel (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Twin Cities, Minneapolis, MN, USA) ,  Weidling Adam M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Twin Cities, Minneapolis, MN, USA) ,  Zhou Yuchen (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Twin Cities, Minneapolis, MN, USA) ,  Ruden P. Paul (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Twin Cities, Minneapolis, MN, USA) ,  Swisher Sarah L. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Twin Cities, Minneapolis, MN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 1  ページ： 180-188  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理酸化物薄膜トランジスタにおいて,堆積後熱処理は膜の輸送特性を著しく変化させ,高性能デバイスにとって必須である。移動度,バイアス安定性,およびトラッピングのトラッピング関連ヒステリシスは,より高い処理温度で改善され,これは,一般に,電子トラップとして作用する局在状態の濃度の減少に起因する。29のデバイスを作製し,特性化して,著者らは,堆積後プロセシングが,確かに,ゾル・オレイルアミン・酸化インジウムスズTFTsにおけるチャネル電子移動度の向上,および単純なモデルに基づいて,局所トラップ状態の密度および特性における変化の定量的評価を与える物理的パラメータを抽出する,という更なる実験的証拠を提供した。300°Cから500°Cまでの熱蒸着後処理を施したゾル・オレイルアミン・酸化インジウムスズ薄膜とTFTについてデータを得た。抽出したパラメータは,バルク半導体と界面でのトラップ状態密度がそれぞれ5と3の因子によって減少することを示した。さらに,局所状態はより浅くなり,バンド移動度はより高い処理温度と共に増加する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  界面 ,  *真空蒸着 ,  薄膜 ,  半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  *酸化亜鉛 ,  後熱処理 ,  状態密度 ,  局在状態 ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  輸送特性 ,  トラッピング ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 亜鉛酸化物 ,  TFT ,  トラップ ,  熱蒸着