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J-GLOBAL ID：202202232288953928   整理番号：22A1046147

ナノ構造表面を有するシリコンのRaman分光法【JST・京大機械翻訳】

Raman spectroscopy of silicon with nanostructured surface

著者 (11件)： Kadlecikova Magdalena (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Vanco Lubomir (Slovak University of Technology, Faculty of Materials Science and Technology, Vazovova 5, 812 43 Bratislava, Slovakia) ,  Breza Juraj (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Mikolasek Miroslav (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Husekova Kristina (Centre for Advanced Materials Application, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 5807/9, 845 11 Bratislava, Slovakia) ,  Husekova Kristina (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Frohlich Karol (Centre for Advanced Materials Application, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 5807/9, 845 11 Bratislava, Slovakia) ,  Frohlich Karol (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Procel Paul (Photovoltaic Materials and Devices Group, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628 CD Delft, the Netherlands) ,  Zeman Miro (Photovoltaic Materials and Devices Group, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628 CD Delft, the Netherlands) ,  Isabella Olindo (Photovoltaic Materials and Devices Group, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628 CD Delft, the Netherlands)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 257  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板対単結晶Siのナノスケール形状表面の形態とRaman応答を比較した。試料は反応性イオンエッチングによって構造化され,それらの4つはRuO_2-IrO_2層によって覆われた。Si表面をエッチングして処理した試料に属する約520cm-1のRamanバンドは,参照非エッチング試料よりも約1桁高い強度を有した。ナノ構造サンプルでは,Raman信号の上昇は12~14×であり,その形状によるSiの先端での電場のモデルと一致した。この現象は励起放射の高い吸収に関係する。RuO_2-IrO_2の層を含む試料のナノ構造表面は,シリコンと導電性酸化物の間の界面での電荷移動によるRaman応答の表面増強の現象を引き起こす。金属層のないSiのナノ構造表面はSERS基板として挙動し,低濃度で分析物を検出する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  界面 ,  電場 ,  電荷移動 ,  励起 ,  *ケイ素 ,  *Raman分光法 ,  RIE【エッチング】 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノ薄膜 ,  シリコンウエハ ,  ナノスケール ,  導電性酸化物 ,  低濃度 ,  SERS基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ブラックシリコン ,  ナノ層RuO_2-IrO_2 ,  SERS

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  シリコン ,  Raman分光法