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J-GLOBAL ID:202202232732421133   整理番号:22A0464634

Ni_3S_2層における勾配構造化操作はアルカリ性媒質中のSi光電陰極の太陽水素生産を促進する【JST・京大機械翻訳】

Gradient-Structuring Manipulation in Ni3S2 Layer Boosts Solar Hydrogen Production of Si Photocathode in Alkaline Media
著者 (10件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: e2102865  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光電陰極としてシリコンを使用することは,費用対効果の高い光電気化学(PEC)太陽水素生産に向けた理想的な経路として長い間考えられてきた。しかし,電荷移動効率と安定性の間のトレードオフは,アルカリ媒体中でのSi系PECデバイスの実用化を厳しく制限する。ここでは,アルカリ溶液中でSi光電陰極の触媒として同時に保護し,作用させるために,勾配構造化Ni_3S_2(G-Ni_3S_xO_2-x)層を統合する容易な熱電着プロセスを報告する。G-Ni_3S_xO_2-x層は水素発生反応のための豊富な活性部位を提供するだけでなく,電荷分離と輸送と物質移動を促進する。結果として,作製したSi光電陰極は,可逆水素電極(RHE)に対して0.39Vの高い開始電位と,0V対RHEで-33.8mAcm-2の光電流密度を有する模擬AM1.5G照射下で優れたPEC活性を示し,最先端のp-Siベース光電陰極を凌駕した。さらに,G-Ni_3S_xO_2-x層は,G-Ni_3S_xO_2-x/Si界面で無視できる応力でSi基板との良好な界面接触を有し,アルカリ媒体中で>30mAcm-2で120時間以上の良好な耐久性を示した。この勾配構造化戦略は,高効率で耐久性のあるPECデバイスを工学する新しい道を開く。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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