文献
J-GLOBAL ID:202202233265781469   整理番号:22A0629183

銅-銀-ビスマス-ハロゲン化物半導体における構造,電荷キャリア局在および動力学の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interplay of Structure, Charge-Carrier Localization and Dynamics in Copper-Silver-Bismuth-Halide Semiconductors
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: e2108392  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
銀-ビスマス系半導体は,それらの高い安定性,全無機組成,および有利なオプトエレクトロニック特性のため,オプトエレクトロニック応用のための有望な新しいクラスの材料である。本研究では,AgBiI_4-CuI固溶体線(化学量論Cu_4x(AgBi)_1-xI_4)に沿った5つの組成にわたって,電荷キャリア動力学と輸送特性を調べた。最密充填ヨウ化物副格子の存在は,これらの材料の全てにわたって一般的な半導体特性のための良好な骨格を提供し,その光電子特性が銅含有量の増加とともに著しく改善され,光ルミネセンス強度および電荷キャリア輸送を増強することを見出した。光ルミネセンスおよび光励起エネルギー依存性テラヘルツ光伝導測定は,この増強電荷キャリア輸送が,Cu+の存在により,還元カチオン無秩序および改善された電子連結性に由来することを明らかにした。さらに,Cu+量の増加は,価電子帯最大周辺のバンド曲率を増強し,より低い電荷キャリア有効質量,減少した励起子結合エネルギー,およびより高い移動度をもたらした。最後に,超高速電荷-キャリア局在化を,調べた全ての組成にわたってパルス光励起で観察し,電荷キャリア移動度を低下させ,Langevin様二分子再結合を導いた。このプロセスは銀とビスマスの存在に本質的にリンクし,効果の仕立てまたは緩和のための戦略を提案し,議論した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
有機化合物の電気伝導 

前のページに戻る