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J-GLOBAL ID：202202233359217418   整理番号：22A0887907

AlGaN/GaN HEMT材料とデバイスのための薄いGaNの適合性【JST・京大機械翻訳】

Suitability of thin-GaN for AlGaN/GaN HEMT material and device

著者 (10件)： Narang Kapil (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Narang Kapil (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India) ,  Singh Vikash K. (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Pandey Akhilesh (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Khan Ruby (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Bag Rajesh K. (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Rawal D. S. (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Padmavati M. V. G. (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Tyagi Renu (Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India) ,  Singh Rajendra (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 57  号： 10  ページ： 5913-5923  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlGaN/GaN HEMT(高Electron移動度トランジスタ)材料およびデバイスに対する薄いGaN(λ≧200nm)の適合性について報告する。これらのHEMT構造はMOVPE(金属有機気相エピタクシー)を用いてSiC基板上に成長した。2種類の成長HEMT構造の形態学的,構造的および電気的特性を研究した。異なるAlN NL(Nucleation Layer)を用いて成長させた薄いGaNエピ層を有するHEMT構造は,従来のGaN HEMT構造で使用される厚さ2.2μmのGaNエピ層に匹敵する薄いGaNエピ層の転位密度をもたらした。HEMT構造の従来のGaN/最適化薄いGaNエピ層に対する対称(002)と斜対称(102)面に沿ったX線ロッキングカーブ広がりは,それぞれ,λ≧145/135アーク-secとλ≧350/310アーク-secであった。最適化した薄いGaN HEMT構造の構造品質,表面形態,および2DEG(2次元Electronガス)特性のような材料特性は,従来のGaN HEMT構造に匹敵する。HEMTデバイスを,最適化された薄いGaNと従来のGaNベースのHEMT構造上に作製した。DC特性から測定したゼロゲートバイアス(Δλ1A/mm),相互コンダクタンス(Δλ>210mS/mm),およびピンチオフ電圧(Δλ-5Volt)におけるドレイン-ソース飽和電流が,両方のデバイスで同等であると,重要なデバイス属性,すなわち,ドレイン-ソース飽和電流が判明した。メサ漏れは,従来のGaN HEMTデバイスと比較して,薄いGaNにおいて,λ≧350nA・mm-1から10nA・mm-1まで著しく改善された。グラフ抽象;Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  対称性 ,  電圧 ,  品質 ,  電気的性質 ,  転位密度 ,  二次元 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  ピンチオフ ,  *HEMT ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  適合性