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J-GLOBAL ID：202202233781526606   整理番号：22A0553359

MFIS NCFETの新しい表面電位ベース解析モデル【JST・京大機械翻訳】

A New Surface Potential-Based Analytical Model for MFIS NCFETs

著者 (2件)： Pahariya Anuj (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, Uttar Pradesh, India) ,  Dutta Aloke K. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, Uttar Pradesh, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 870-877  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート電圧の関数として,金属-ferroelectric-insulator-半導体(MFIS)負容量電界効果トランジスタ(NCFET)に対する表面電位(ψ_s)の解析モデルを,まず,モデル領域(弱および強反転)を展開し,次に平滑化関数を用いて,中程度の反転領域でそれらを併合することにより,ゲート電圧の関数として提示した。次に,ψ_sに対するこのモデルを用いて,電荷と静電容量挙動を求め,最終的に電流作動電圧モデルを開発した。種々の重要な技術パラメータ,すなわち,基板ドーピング,強誘電性(FE)および酸化物厚さ,残留分極,および抗電場を考慮した。すべてのモデル結果は,TCADシミュレーションから得たものと優れた整合を示した。また,静電容量整合,従ってゲート制御は,FE厚さの増加と残留分極に対する抗電場比の増加とともに改善され,低電力応用のデバイスと回路設計で効果的に利用できる。電流作動電圧特性から抽出した小信号パラメータは一次連続性を示し,回路シミュレーションに適したモデルを作った。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  半導体 ,  *表面電位 ,  FET【トランジスタ】 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  静電容量 ,  平滑化 ,  *モデル ,  抗電場 ,  残留分極 ,  *解析モデル
準シソーラス用語： TCAD ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 表面電位 ,  解析モデル