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J-GLOBAL ID:202202233824893093   整理番号:22A0974997

横方向ペンタセン/a-IGZOPN接合に基づく電力効率の良いガスセンシングとシナプスダイオード【JST・京大機械翻訳】

Power-Efficient Gas-Sensing and Synaptic Diodes Based on Lateral Pentacene/a-IGZO PN Junctions
著者 (7件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 9368-9376  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ガスセンシングと神経形態学的コンピューティングの機能収束は,あらゆるシステムの電子嗅覚,人工知能,およびインターネットにおける有望な可能性のために,多くの研究の注目を集めている。しかし,現在の神経形態ガス検知システムは,ガス検出器と神経形態デバイスの統合,または高電圧での3端子シナプストランジスタによる操作によって実現され,むしろ高いシステムの複雑さまたは電力消費をもたらす。ここでは,横方向構造をもつガス変調シナプスダイオードを開発し,センシング,処理および記憶機能を単一デバイスに収束させた。横方向のシナプスダイオードは,有機半導体(OSC)と非晶質In-Ga-Zn-Oのp-n接合に基づいており,上部OSC層は大気中でガス分子と直接相互作用する。抑制性シナプス後電流および対パルス抑制を含むアンモニアにより誘導される典型的なシナプス行動を,成功裏に示した。一方,シナプスイベント当たり6.3pJの低い電力消費が達成され,それは単純なデバイス構造,OSCの偏心化学感受性,および低い動作電圧から利益を得た。ヒト呼気中の模擬アンモニア分析をさらに行い,シナプスダイオードの実用化を検討した。したがって,本研究は,回路コンパクトで電力効率の良い人工嗅覚システムのためのガス変調シナプスダイオードを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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