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J-GLOBAL ID：202202233871470988   整理番号：22A1155264

半導体に対する2つのキャリア型の流体力学モデルへのゼロ緩和時間限界【JST・京大機械翻訳】

Zero relaxation time limits to a hydrodynamic model of two carrier types for semiconductors

著者 (3件)： Hu Yan-bo (K.K.Chen Inst. for Advanced Studies, Hangzhou Normal University, Hangzhou, China) ,  Klingenberg C. (Deptartment of Mathematics, Wuerzburg University, Wuerzburg, Germany) ,  Lu Yun-guang (K.K.Chen Inst. for Advanced Studies, Hangzhou Normal University, Hangzhou, China)
資料名： Mathematische Annalen  (Mathematische Annalen)
巻： 382  号： 3-4  ページ： 1031-1046  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4718A  ISSN： 0025-5831  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,半導体に対する2つのキャリア型の一次元流体力学モデルに対するゼロ緩和時間限界を研究した。最初に,近似解[数式:原文を参照]の均一[数式:原文を参照]結合と,高エネルギー推定(JungelとPeng Comm Differ Equ 58:1007-1033,1999)の支援による[数式:原文を参照]の他の推定を得るために,古典的粘度法と結合したフラックス近似を導入した。次に,任意に大きい初期データと任意の断熱指数[数式:原文を参照]によるゼロ緩和時間限界を証明するために,スケール変数法(MarcatiとNatalini Arch Ration Mech Anal 129:129-145,1995)と結合した補償コンパクト法を適用する。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *緩和時間 ,  粘度 ,  *半導体 ,  近似法 ,  一次元 ,  *流体力学的模型 ,  指数 ,  スケール変数
準シソーラス用語： 高エネルギー ,  近似解 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 35L65 ,  76N10 ,  65M12 ,  78A35

分類 (1件)： 数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア ,  流体力学モデル ,  緩和時間 ,  限界