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J-GLOBAL ID：202202234326044362   整理番号：22A0150059

成熟200mm CMOSプラットフォーム上のモノリシック低損失窒化けい素導波路に向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards monolithic low-loss silicon nitride waveguides on a mature 200 mm CMOS platform

著者 (8件)： Li Bin (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Li Donghao (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Tang Bo (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Peng (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Yang Yan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Ruonan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xie Ling (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Li Zhihua (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 250  号： P1  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素フォトニクスは,広い波長範囲にわたる透明性と相補的な金属-オキシド-半導体プロセスとの両立性から利益を得る,広いクラスの低損失統合デバイスとチップスケールソリューションを可能にし,遠隔/データ,人工知能,センシング,およびバイオフォトニクスの応用を可能にする。シリコンオンインシュレータフォトニクスに対する相補的プラットフォームとして,低損失窒化ケイ素導波路技術を提示し,シリコンフォトニクスプラットフォームの能力を拡張した。低圧化学蒸着によって調製した窒化ケイ素膜は,低い固有損失と良い再現性を有するが,窒化ケイ素膜は,厚さが300nm未満であるとき,亀裂の傾向がある。高応力を減らすために,厚さ400nmのウエハレベル窒化ケイ素導波路を,200mmの相補的金属-オキシド-半導体パイロットライン上に2段階堆積法で製作した。同じ層エッチングプロセス後の単一ストライプと多重ストライプ構造の間の異なる線幅変化のため,この偏差を修正するためにレイアウト補償が必要である。しかし,窒化ケイ素導波路の線幅感度は比較的低く,Cバンドの伝搬損失は0.9μm幅で0.66dB/cmから1μm幅で0.62dB/cmまで僅かに減少した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  半導体 ,  酸化物 ,  人工知能 ,  多重化 ,  *窒化ケイ素 ,  LPCVD ,  *導波路 ,  半導体プロセス ,  *CMOS
準シソーラス用語： フォトニクス ,  線幅 ,  シリコンフォトニクス ,  伝搬損失 ,  バイオフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化けい素 ,  導波路 ,  格子結合器 ,  CMOSプロセス

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成熟 ,  CMOS ,  プラットフォーム ,  低損失 ,  窒化けい素 ,  導波路