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J-GLOBAL ID：202202235074161373   整理番号：22A0099757

GeリッチGeSbTe合金の表面酸化現象と相変化メモリ応用のためのNドーピング効果【JST・京大機械翻訳】

Surface oxidation phenomena in Ge-rich GeSbTe alloys and N doping influence for Phase-Change Memory applications

著者 (9件)： Goffart Ludovic (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France) ,  Goffart Ludovic (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France) ,  Goffart Ludovic (CEA-LETI, 17 Avenue des Martyrs, Grenoble 38054, France) ,  Pelissier Bernard (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France) ,  Lefevre Gauthier (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France) ,  Le-Friec Yannick (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France) ,  Vallee Christophe (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France) ,  Navarro Gabriele (CEA-LETI, 17 Avenue des Martyrs, Grenoble 38054, France) ,  Reynard Jean-Philippe (STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 573  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位相-Changeメモリ技術は,成熟において増加し,次世代の非揮発性メモリアプリケーションにとって興味深い。GeリッチGST合金のような革新的相変化層の特性を利用するために,時間と温度における層の可能な進展の背後にある現象の理解が基本的になる。本研究では,pARXPS技術を用いて開発したプロトコルを詳細に示し,異なる窒素ドーピングレベルを有するGeリッチGST合金の表面酸化厚さを確実に測定した。これらの試料について,窒素ドーピングの影響と同様に,二重酸化速度を初めて観察し,pARXPSとTEM-EDX技術を用いて補完的に分析した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *合金 ,  *相転移 ,  応用プログラム ,  位相 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 酸化速度 ,  *表面酸化 ,  *相変化メモリ ,  窒素ドーピング ,  *ドーピング効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化メモリ ,  酸化物膜成長速度論 ,  X線光電子分光法(XPS) ,  透過電子顕微鏡(TEM) ,  モデリング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  表面酸化 ,  現象 ,  相変化メモリ ,  応用 ,  ドーピング効果