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J-GLOBAL ID：202202235228556959   整理番号：22A0324673

n型In_2O_3とフェニレンジアミンで修飾したp型グラフェン系ガスセンサに及ぼす電界効果とSchottkyヘテロ構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Field-Effect and Schottky Heterostructure on p-Type Graphene-Based Gas Sensor Modified by n-Type In₂O₃ and Phenylenediamine

著者 (7件)： Choi Joung Hwan (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Seo Jin Sung (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Jeong Ha Eun (Institute of Fundamental and Advanced Technology, Hyundai Motor Company, 37 Cheoldobangmulgwan-ro, Uiwang-si, Gyeonggi-do 16082, South Korea) ,  Song KyongHwa (Institute of Fundamental and Advanced Technology, Hyundai Motor Company, 37 Cheoldobangmulgwan-ro, Uiwang-si, Gyeonggi-do 16082, South Korea) ,  Baeck Sung-Hyeon (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Shim Sang Eun (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Qian Yingjie (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年間,高性能ガスセンシングにおけるグラフェンの利点が実証され,特に,理論的および技術的進歩が成熟している単一または少数層グラフェンについて,実証されている。多層グラフェン(MLG)センサの複雑性と実用化の需要増加のために,次世代ガスセンサの開発のためにMLGとその誘導体の間の相関を包括的に理解する緊急の必要性がある。ここでは,より良いガスセンサを得るための理論的および経験的戦略を開発した。これらのアプローチは3つのカテゴリーに分けることができる。1)Dirac点近傍のFermi準位(E_F,Dirac),2)吸着確率f(x)と駆動力(調製時と飽和Fermi準位間のギャップ),および3)加速移動度,を有する建築物デバイス。n型酸化インジウムとフェニレンジアミン(GIP)で修飾したp型還元酸化グラフェン(rGO)を用いたデバイスを設計し,アプローチ1と2(E_F,Diracとf(x)増強)を採用して作製した。得られた正孔補償GIPはホルムアルデヒド(HCHO)に対して顕著な応答を示し,これはrGOより66.3倍高く,速い応答/回復を示した。また,GIPはアンモニアおよびトリメチルアミンよりもHCHOに対して高い選択性を示した。分類はセンシングにおけるグラフェンの複雑な役割を解き,次世代の先進ガスセンサの設計を助けると信じる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  吸着 ,  正孔 ,  *電場効果 ,  アンモニア ,  Fermi準位 ,  酸化インジウム ,  駆動力 ,  *グラフェン ,  脂肪族アミン ,  第三アミン ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  Dirac点 ,  多層グラフェン ,  還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  ガスセンサー ,  電界効果 ,  Schottkyヘテロ構造 ,  ホルムアルデヒド検出

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (2件)： トリメチルアミン ,  ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (6件)： フェニレンジアミン ,  修飾 ,  グラフェン ,  ガスセンサ ,  電界効果 ,  ヘテロ構造