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J-GLOBAL ID：202202235777276366   整理番号：22A0574290

コバルト横方向ナノグラニュラー膜のDCおよびACトンネリング磁気電気応答【JST・京大機械翻訳】

DC and AC tunneling magnetoelectric responses of cobalt lateral nanogranular films

著者 (5件)： Kijima-Aoki Hanae (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ohnuma Shigehiro (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ohnuma Shigehiro (Research Institute for Electromagnetic Materials, Tomiya 981-3341, Japan) ,  Kobayashi Nobukiyo (Research Institute for Electromagnetic Materials, Tomiya 981-3341, Japan) ,  Masumoto Hiroshi (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 547  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コバルト-(フッ化バリウム)横方向ナノ粒状膜の新しい構造最適化を示し,それぞれ,膜面と平面外で,独立に変化する直流(DC)と交流(AC)トンネル効果を達成した。横方向ナノ粒状膜をプログラマブルタンデムスパッタリングにより作製した。平坦形状の磁性Coナノ粒状体を,異なる厚さの誘電体フッ化バリウム層間に周期的に挿入した。すべての横方向ナノ粒状膜は絶縁性であり,電気抵抗率ρは1013μΩcmを超え,Co含有量は30at%であった。横方向トンネル磁気抵抗(TMR)効果と垂直トンネル磁気誘電(TMD)効果を30at.%Coの同じ横方向ナノ粒状膜において見出した。横方向Coナノ粒子を有するナノ粒状膜に対して,TMRおよびTMD比の両方の感度は,小さな磁場で,球状Coナノ粒子を有する従来の膜と比較して改善され,その小さな飽和磁場を反映していた。この層秩序化金属-絶縁体ナノ粒状構造は,高感度磁気センサとしてAC/DCハイブリッド素子に潜在的用途を有する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  磁気抵抗 ,  電気抵抗率 ,  *トンネル効果 ,  薄膜 ,  誘電体 ,  フッ化バリウム ,  *磁気 ,  直列接続 ,  直流 ,  磁性 ,  構造最適化 ,  ナノ粒子 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *グラニュラー薄膜 ,  トンネル磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノ粒状薄膜 ,  Coナノ粒子 ,  タンデムスパッタリング ,  トンネル磁気抵抗(TMR)効果 ,  トンネリング磁気誘電体(TMD)効果

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (8件)： コバルト ,  横方向 ,  グラニュラー膜 ,  DC ,  Ac ,  トンネリング ,  磁気 ,  応答