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J-GLOBAL ID：202202236224371468   整理番号：22A0963823

横モードにおけるナノスケールシリコン導波路に対する次元依存有効屈折率解析【JST・京大機械翻訳】

Dimension Dependent Effective Index Analysis for a Nano-scale Silicon Waveguide in Transverse Mode

著者 (4件)： Chen A. T. C. (Universiti Teknologi Brunei (UTB),Electrical and Electronic Engineering Programme Area, Faculty of Engineering,Gadong,Brunei Darussalam) ,  Petra R. (Universiti Teknologi Brunei (UTB),Electrical and Electronic Engineering Programme Area, Faculty of Engineering,Gadong,Brunei Darussalam) ,  Yeo K. S. K. (Universiti Teknologi Brunei (UTB),Electrical and Electronic Engineering Programme Area, Faculty of Engineering,Gadong,Brunei Darussalam) ,  Uddin M. Rakib (The State University of New York Research Foundation State University of New York Polytechnic InstituteFuller Road,Albany,New York,12203)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ICACT  ページ： 1392-1398  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MODE解を用いてシリコン導波路寸法に対する有効指数の効果を提案し,実証した。本論文の目的は,導波路幅変動と導波路高さ変動によって影響を受ける有効指数の影響を研究することである。200nmのコア高さを固定し,コア幅を300nmから600nmに変化させ,コア幅を500nmに固定し,コア幅を150nmから300nmに固定して,横方向電気(TE)と横方向磁気(TM)MODEで,有効屈折率変化の影響を提示した。シミュレーション結果を用いて,コア幅とコア高さの厚さを,基本または高次モード設計の決定に使用した。コア幅とコア高さが増加するにつれて,より高い有効指数を達成できることが分かった。基本または高次モード設計の決定は,TE0,TM0,TE1およびTM1モードに対する有効指数のグラフを,様々なコア高さおよび幅で解析することによって達成できる。解析に基づいて,シリコンコア幅が約500nmの値に保たれ,コア高さが250nm以下の値に保たれたときに,基本次数のみを達成できると結論した。高次モードでは,過剰雑音と損失を導入できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *ケイ素 ,  磁気 ,  *横モード ,  *導波路
準シソーラス用語： 過剰雑音 ,  高次モード ,  *有効屈折率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 横モード ,  導波路 ,  次元 ,  有効屈折率 ,  解析