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J-GLOBAL ID：202202236400895952   整理番号：22A1086165

In_2O_3系抵抗型ガスセンサにおけるH_2Sセンシングと低周波雑音特性に及ぼす電極構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Electrode Structure on H₂S Sensing and Low-Frequency Noise Characteristics in In₂O₃-Based Resistor-Type Gas Sensors

著者 (7件)： Kim Donghee (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Shin Wonjun (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Hong Seongbin (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Jeong Yujeong (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Jung Gyuweon (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Park Jinwoo (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Lee Jong-Ho (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 22  号： 7  ページ： 6311-6320  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガスセンサに関するほとんどの研究は,センサの応答の改善に焦点を合わせている。しかし,最適性能を有するガスセンサの設計には雑音特性も考慮されるべきである。本論文では,In_2O_3抵抗型ガスセンサにおけるH_2Sガスセンシングおよび低周波雑音(LFN)特性に及ぼす電極構造の影響を調べた。指(S_f)と電極指数(N_f)の間隔の異なる組合せを有する交差指電極(IDE)センサの応答と雑音性能を解析した。平行電極(PE)センサも参照として比較した。IDEセンサでは,S_fが減少すると応答が増加し(またはN_fが増加する),PEセンサはS_fに関係なく一定の応答を示した。IDEとPEセンサのガス応答特性を,伝送線路法(TLM)パターンのガス検知結果を用いてさらに解析した。全体のガス応答に対するバルクと接触の寄与が電極間隔に依存して異なることを示した。IDEセンサの正規化LFNは,S_fが雑音特性に大きく影響するので,PEセンサよりも少なくとも100倍小さい。H_2Sガスに対するセンサの検出限界(LOD)は,短間隔の交差指電極構造を採用することによって,8380ppb(S_f=100μm,N_f=2)から6.42ppb(S_f=2μm,N_f=30)まで改善できる。結果は,雑音とガス応答の両方を考慮した最適性能を示す抵抗型ガスセンサのための電極設計指針を提供した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *気体 ,  *雑音 ,  応答特性 ,  *電極 ,  *低周波雑音 ,  伝送線路 ,  *雑音特性 ,  検出限界 ,  センサ ,  ガスセンサ ,  正規化
準シソーラス用語： 交差指電極 ,  *電極構造 ,  電極間距離 ,  ガス検知 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  有害ガス調査測定  (SB03050T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガスセンサ ,  センシング ,  低周波 ,  雑音特性 ,  電極構造