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J-GLOBAL ID：202202236647865867   整理番号：22A0848380

将来の全シリコン集積マイクロ波回路における電気光学変調:光放出増加によるゲートMOSFETデバイスの導入【JST・京大機械翻訳】

Electrooptic Modulation in Future All-Silicon Integrated Microwave Circuits: An Introduction of Gated MOSFET Devices With Increased Optical Emissions

著者 (6件)： Yi Bo (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Li Zepeng (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Zhengyuan (Sichuan Solid-State Circuit Research Institute, Chongqing, China) ,  Xu Kaikai (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Snyman Lukas W. (University of South Africa, Pretoria, South Africa) ,  Swart Jacobus W. (CCS UNICAMP, Sao Paulo, Brazil)
資料名： IEEE Microwave Magazine  (IEEE Microwave Magazine)
巻： 23  号： 4  ページ： 45-54  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1199A  ISSN： 1527-3342  CODEN： IEMMFF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報のための人間社会の需要の爆発的成長によって,マイクロ波は無線通信,軍事レーダ,および電子対策のような応用のための重要な情報キャリアになった。しかし,従来のマイクロ波処理回路の処理速度と帯域幅は限られ,高周波マイクロ波信号に対する電子ボトルネックを創り出すことができる。伝統的電気システムだけは,高周波マイクロ波信号発生,伝送,および処理[2],[3]に対する新たな需要に適合するには十分ではない。同時に,広帯域で低損失のフォトニクスは,広帯域無線アクセスネットワーク,センサネットワーク,レーダ,衛星通信,計装,および戦争システム[4]のような応用に対して,マイクロ波とミリ波(ミリ波)信号の発生,処理,制御,および分布において,絶えず増加する興味をもたらした。1990年代に始まり,これらの2つの技術は,マイクロ波フォトニクス[5],[6]として知られる新しい学際的分野を併合し,製造した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光 ,  *マイクロ波 ,  レーダ ,  ネットワーク ,  *MOSFET ,  衛星通信 ,  HF【周波数】 ,  無線伝送 ,  信号発生 ,  EHF波 ,  *マイクロ波回路 ,  広帯域 ,  センサネットワーク
準シソーラス用語： フォトニクス ,  マイクロ波フォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  レーダ  (ND13010H) ,  リモートセンシング一般  (AD04000L)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  集積 ,  マイクロ波回路 ,  電気光学変調 ,  光放出 ,  ゲート ,  MOSFET