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J-GLOBAL ID：202202237261740186   整理番号：22A1059892

二層構造を有する溶液処理酸化亜鉛系薄膜トランジスタの改善された電気的性能【JST・京大機械翻訳】

Improved electrical performance of solution-processed zinc oxide-based thin-film transistors with bilayer structures

著者 (5件)： Oura Kazuyori (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Wada Hideo (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Koyama Masatoshi (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Maemoto Toshihiko (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Sasa Shigehiko (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
資料名： Journal of Information Display  (Journal of Information Display)
巻： 23  号： 1  ページ： 105-113  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5961A  ISSN： 1598-0316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOとAlドープZnO(AZO)を有する二層薄膜トランジスタ(TFT)構造を溶液プロセスを用いて作製した。ZnOとAZOの膜厚と焼結雰囲気を制御し,それらの電気特性を測定して評価した。焼結雰囲気を変えることによって,薄膜中の酸素空孔に起因するキャリアは増加した。さらに,N_2中で焼結したZnO単層TFTは良好な電気特性を示した。ZnO/AZO二層TFTでは,N_2と高抵抗AZO薄膜で焼結されたZnOで積層したTFTでは,On/Off比やサブ閾値スイングのような電気特性がZnO-TFTに比べて改善された。O_2雰囲気中で焼結したAZO薄膜を用いたZnO/AZO-TFTのOn/Off比は,ZnO-TFT(1.7×104)に比べて3.7×105に顕著に改善した。さらに,ZnO/AZO-TFTのサブ閾値スイングは0.36V/decであったが,電界効果移動度は2.2×10-1cm2/Vsであり,作製した試料の中で最良の電気特性を示した。すれすれ入射X線回折測定によると,ZnO/AZO二分子層のZnO粒子サイズと結晶性はZnO単層のものより高かった。したがって,電気特性の改善を確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  キャリア移動度 ,  焼結 ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  二分子層 ,  *酸化亜鉛 ,  雰囲気 ,  結晶度 ,  電気特性 ,  単一層
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  酸素空格子点 ,  二層 ,  すれすれ入射X線回折 ,  *溶液処理 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 溶液プロセス ,  薄膜トランジスタ ,  二分子層 ,  AlドープZnO

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層構造 ,  溶液処理 ,  酸化亜鉛 ,  薄膜トランジスタ