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J-GLOBAL ID：202202237277494011   整理番号：22A0482098

スピンボーイング軌道トルク磁気トンネル接合のナノ構造におけるイオン化と変位損傷【JST・京大機械翻訳】

Ionization and Displacement Damage on Nanostructure of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunnel Junction

著者 (15件)： Wang Bi (School of Integrated Circuit Science and Engineering and the School of Electronics and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Min (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhang Hongchao (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Zhaohao (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhuo Yudong (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Ma Xiangyue (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Cao Kaihua (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Liang (Beijing Microelectronics Technology Institute, Beijing, China) ,  Zhao Yuanfu (Beijing Microelectronics Technology Institute, Beijing, China) ,  Wang Tianqi (Space Environment Simulation and Research Infrastructure and the School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Liu Chaoming (Space Environment Simulation and Research Infrastructure and the School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Zhang Hongqiang (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, China) ,  Zhang Youguang (School of Electronics and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wang Jun (School of Electronics and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhao Weisheng (Fert Beijing Research Institute, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 1  ページ： 43-49  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン作動軌道トルク磁気トンネル接合(SOT-MTJ)は,磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のメモリセルであり,それは,非揮発性,高速,および高耐久性のため,過酷な環境における上位レベルキャッシュのための有望な候補である。したがって,その統合の前のSOT-MTJに及ぼす照射効果の機構を研究することは重要である。1MeV電子と17.2keVHe+と60Coγ線照射を含む面内磁気異方性SOT-MTJのイオン化と変位損傷を,それぞれ種々のフルエンスと線量で調べた。素子はトンネル磁気抵抗(TMR)に弾力性があり,一方,磁気特性は照射後に変化した。100-Mrad(Si)γと17.2keVのHe+照射は,磁気異方性と臨界電流密度(J_c)の側面において,デバイス性能に類似の損傷を発生させる。しかし,電子照射に起因する変位損傷は,J_cに顕著な影響を持たない。さらに,飽和磁化と交換バイアス場は,規則性のない照射によって変化した。物質(SRIM)と微細構造試験におけるイオンの阻止と範囲のシミュレーションによる実験結果を説明するために,いくつかの可能な機構を考察した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  γ線照射 ,  磁気異方性 ,  電子照射 ,  飽和磁化 ,  *トルク ,  弾性 ,  記憶素子 ,  *はじき出し損傷 ,  フルエンス ,  *ナノ構造 ,  臨界電流密度
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  *磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 軌道 ,  トルク ,  磁気トンネル接合 ,  ナノ構造 ,  イオン化 ,  変位損傷