文献

J-GLOBAL ID：202202237306179485   整理番号：22A0462676

二重ビームTOF-SIMSを用いた深さプロファイリング中のシリコンウエハ中の水素, 炭素, 窒素と酸素のバックグラウンド信号形成の挙動とプロセス【JST・京大機械翻訳】

Behavior and process of background signal formation of hydrogen, carbon, nitrogen, and oxygen in silicon wafers during depth profiling using dual-beam TOF-SIMS

著者 (2件)： Sameshima Junichiro (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Japan) ,  Numao Shigenori (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Japan)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 54  号： 2  ページ： 165-173  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ビーム飛行時間二次イオン質量分析(TOF-SIMS)を用いた大気元素の深さプロファイリング中のバックグラウンド信号の挙動と機構をシリコンウエハに対して実験的に調べた。大気元素のバックグラウンド信号はスパッタリング速度に逆比例することが分った。バックグラウンド信号の大部分は,前平衡状態における吸着とイオン衝突による成分の蓄積に大きく起因する。他方,平衡状態における最後のスパッタリング後の瞬間におけるリアルタイム吸着の寄与は,本実験条件下で無視できた。H_2Oは水素と酸素のバックグラウンド形成過程で支配的であり,これはより高い吸着係数によって支持された。炭素と窒素のバックグラウンドレベルは水素と酸素のものより低い。さらに,スパッタリング速度に関する炭素のバックグラウンド信号は他の元素とは異なる傾向を示した。これは,前平衡状態における蓄積に起因した。これらの結果は,二重ビームTOF-SIMSにおいて非常に高いスパッタリング速度を用いることにより,バックグラウンドレベルが動的SIMSのそれらに近いことを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  スパッタリング ,  *酸素 ,  *水素 ,  *炭素 ,  *窒素 ,  イオン衝突 ,  平衡状態 ,  *深さプロフィル
準シソーラス用語： *TOF-SIMS ,  *シリコンウエハ ,  実時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 吸着 ,  大気要素 ,  深さプロファイリング ,  スパッタリング ,  TOF-SIMS

分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (11件)： 二重ビーム ,  TOF-SIMS ,  深さプロファイリング ,  シリコンウエハ ,  水素 ,  炭素 ,  窒素 ,  酸素 ,  バックグラウンド ,  挙動 ,  プロセス