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J-GLOBAL ID：202202237441496065   整理番号：22A0956049

マイクロカンチレバー曲げ技術を用いたSiN/GaAs膜/基板系の界面接着評価【JST・京大機械翻訳】

Interfacial adhesion assessment of SiN/GaAs film/substrate system using microcantilever bending technique

著者 (5件)： Lin Weikang (School of Mechanical and Mining Engineering, The University of Queensland, Brisbane, QLD, 4072, Australia) ,  Zhao Yitian (School of Mechanical and Mining Engineering, The University of Queensland, Brisbane, QLD, 4072, Australia) ,  Wang Feng (HBIS Group, Shijiazhuang, Hebei Province, People’s Republic of China) ,  Huang Han (School of Mechanical and Mining Engineering, The University of Queensland, Brisbane, QLD, 4072, Australia) ,  Lu Mingyuan (School of Mechanical and Mining Engineering, The University of Queensland, Brisbane, QLD, 4072, Australia)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 24  ページ： 245104 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,マイクロカンチレバー曲げ技法を適用して,窒化ガリウム(GaAs)基板上の窒化ケイ素(SiN)膜の界面接着を評価した。マイクロメートルスケールの小型化カンチレバーを集束イオンビームミリングを用いてSiN/GaAs断面上に加工した。その後の曲げ試験をナノメカニカル試験システムで行った。静的および周期的負荷を適用して,それらが破壊するまでカンチレバーを曲げた。すべてのカンチレバーはSiN/GaAs界面で破壊した。有限要素解析(FEA)モデルを用いてカンチレバーのたわみをシミュレートし,破壊の軌跡における応力状態を解析した。界面破壊強度σ_inをFEAモデルから導いた。静的および繰返し荷重試験からのσ_inの平均値は,それぞれ,0.8±0.2および0.5±0.1GPaであった。次に,エネルギー収支解析を用いて,G_in=0.18±0.05Jm-2の界面靭性を評価した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー収支 ,  *界面 ,  *接着 ,  曲げ試験 ,  繰返し荷重 ,  たわみ ,  *片持梁 ,  靱性 ,  *ヒ化ガリウム ,  小型化 ,  窒化ガリウム ,  窒化ケイ素 ,  集束イオンビーム
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  界面破壊 ,  *界面接着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロカンチレバー ,  曲げ ,  SiN ,  GaAs ,  界面接着 ,  評価