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J-GLOBAL ID:202202237513235763   整理番号:22A0568863

リチウム硫黄電池におけるポリスルフィド転化のための触媒能を増強するための2Dタングステンセレニドの定量的制御欠陥【JST・京大機械翻訳】

Quantitatively regulating defects of 2D tungsten selenide to enhance catalytic ability for polysulfide conversion in a lithium sulfur battery
著者 (6件):
資料名:
巻: 45  ページ: 1229-1237  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3097A  ISSN: 2405-8297  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2D材料への欠陥の導入は,通常触媒活性サイトである配位不飽和部位を増加させることができる。欠陥のレベルがどのように触媒性能に影響し,2D材料を最適化するための欠陥を利用するか。本研究では,アニオン性Se空孔とエッジ転位を,硫黄カソードのための遷移金属ジカルコゲン化物ホスト材料のモデルとして2D WSe_2中で制御した。異なるW/Se比を有する欠陥2D WSe_2を,リチウム硫黄(Li-S)電池におけるカソードプロセスの増強に及ぼす欠陥の影響を定量的に調べた。中程度のレベルの欠陥で,WSe_1.51は,ポリスルフィドを吸着し,ポリスルフィド変換を触媒し,液体-固体変換を促進し,その全ては,Li-S電池の重要な段階である。対応する硫黄カソードは11.3mAh cm-2の高い初期面積容量と1Cレートで1000サイクルの間に0.025%の減衰速度を有する優れたサイクル安定性を示した。パウチセルにおいても,優れたサイクル性と柔軟性はまだ利用可能である。結果は,長いサイクルおよび高エネルギーLi-S再充電電池が達成できる欠陥のレベルを制御することによって,2D遷移金属ジカルコゲン化物の触媒能力を強化する実現可能性を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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二次電池 

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