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J-GLOBAL ID：202202238211928657   整理番号：22A1156202

Electron輸送材料としてCdSeコア/ZnSシェル量子ドットを用いた反転有機フォトダイオードの特性と製造【JST・京大機械翻訳】

Characteristics and Fabrication of an Inverted Organic Photodiode Using CdSe Core/ZnS Shell Quantum Dots As an Electron Transport Material

著者 (5件)： Lee Seri (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Gyu Min (Faculty of Food Biotechnology and Chemical Engineering, Hankyong National University, Anseong, Gyeonggi-Do, Republic of Korea) ,  Kim Kee-Tae (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Woo-Seong (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, Republic of Korea) ,  Oh Se-Young (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Sogang University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 5  ページ： 2406-2411  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機光検出器(OPD)の高い検出感度を達成するために,ITO/酸化スズ(SnO_2)/CdSe@ZnS/(ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)[P3HT]:PC_60BM/MoO_3/AgからなるデバイスにCdSeコア/ZnSシェル量子ドット(CdSe@ZnS)を組み込んだ。CdSe@ZnS層は,量子ドットバッファ層からZnSシェルの広いバンドギャップへエネルギーを輸送することにより,光電流の増強と漏れ電流の低減に重要な役割を持つことを見出した。結果として,CdSe@ZnS量子ドットバッファ層を有するデバイスは,光電流を13.2%増強し,暗電流を8.28μA/cm2から1.06μA/cm2に減少させ,1.43×1012Jonesの検出感度を示した。図式図はCopyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  光検出器 ,  酸化スズ ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化亜鉛 ,  暗電流 ,  漏れ電流 ,  バッファ層 ,  *量子ドット ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 検出能 ,  *有機フォトダイオード ,  ブロッキング層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 有機光検出器 ,  ホールブロッキング層 ,  量子ドット

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 輸送 ,  CdSe ,  コア ,  ZnS ,  シェル ,  量子ドット ,  反転 ,  有機フォトダイオード