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J-GLOBAL ID：202202239038048097   整理番号：22A0233156

p型半導体CuCrO_2薄膜の構造およびオプトエレクトロニクス特性に及ぼすMgドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Mg doping on structural and optoelectronic properties of p-type semiconductor CuCrO₂ thin films

著者 (5件)： Lin Shih-Hung (Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Yunlin, 64002, Taiwan) ,  Yeh Rong-Hwei (Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng, Taichung, 41354, Taiwan) ,  Chu Chen (Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng, Taichung, 41354, Taiwan) ,  Yu Ruei-Sung (Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500 Lioufeng Rd., Wufeng, Taichung, 41354, Taiwan) ,  Yu Ruei-Sung (Department of Medical Research, China Medical University Hospital, China Medical University, Taichung, 40402, Taiwan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 139  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CuCrO_2薄膜をMgでドープした。実験では,CuCr_1-xMg_xO_2(x=0,0.05,0.035,0.055,0.075,および0.095)のMg含有量は,キャリア濃度と電気伝導率の増加に対して0.2at%(x=0.015)から2.17at%(x=0.095)に徐々に増加する。CuCrO_2薄膜中のCu,CrおよびOの量は原子化学量論比(Cu/Cr/O比=25:25:50)から発散した。特に,薄膜は,p型伝導に適したこの比よりも,CuとCrが少なく,Oがより多い。結果は,MgがデラフォサイトCuCrO_2の格子サイトに存在し,Mgドーピングが構造と光電特性に影響することを示す。Mg量の増加により,薄膜の二乗平均平方根粗さは23.4から16.6nmに減少した。さらに,CuCrO_2薄膜中のMgドーピングの適切な増加は可視光の透過率の増大と紫外線(300-400nm)の吸収の増強をもたらした。Mg量の増加と共に,CuCrO_2のバンドギャップは3.09eV(非ドープ,x=0)から3.12eV(x=0.095)に増加した。実験は,Cr3+とMg2+の置換がキャリアの濃度を効果的に増加させ,2.43×10-2から1.56(Ω-cm)-1への電気伝導率の64倍増加をもたらすことを示す。正孔キャリアの電気伝導のための点欠陥に基づく機構を提案した。したがって,MgドープCuCrO_2は望ましい特性を有するオプトエレクトロニクス半導体の候補である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 紫外線 ,  正孔 ,  電気伝導 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  *クロム ,  *銅 ,  *マグネシウム ,  *ドーピング ,  可視光 ,  キャリア密度 ,  *オプトエレクトロニクス ,  透過率 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： デラフォサイト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CuCrO_2 ,  薄膜 ,  マグネシウム ,  半導体 ,  構造 ,  電気および光学特性

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： P型半導体 ,  薄膜 ,  オプトエレクトロニクス ,  Mg ,  ドーピング