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J-GLOBAL ID:202202239117786167   整理番号:22A1073005

エレクトロニクス実装用のめっきにおける共析水素の解析

Analysis of Codeposited Hydrogen in Plating Films for Electronics Packaging
著者 (4件):
資料名:
巻: 28th  ページ: 244-248  発行年: 2022年02月01日 
JST資料番号: L2496A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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・めっき膜中に共析した水素は,膜のひび割れや膨れ,物性の経時変化,素地金属の水素脆化など様々な不具合の原因となっているが,水素は微量で拡散しやすいためその挙動を捉えることは困難。
・本稿では,Cu微細配線に用いられる硫酸銅めっきにおいて,結晶粒が室温で時間の経過と共に粗大化して電気抵抗と硬さが低下する「室温粒成長」現象に及ぼす共析水素の影響について報告。
・また,プリント基板の最終表面処理に用いられる無電解Ni-P/AuおよびNi-P/Pd/Auめっき膜のはんだ接合性に及ぼす水素の影響について紹介。
・Cu電析膜の室内粒成長の主因は水素の共析と共に生成した多量の空孔であることが判明。
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分類 (2件):
分類
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めっき一般  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (29件):
  • 福室直樹,八重真治,“電気化学反応によって金属中に侵入した水素の存在状態とその影響”,表面技術,71(2020),pp.314-322.
  • J. M. E. Harper, C. Cabral, Jr., P. C. Andricacos, L. Gignac, I. C. Noyan, K. P. Rodbell, C. K. Hu,“Mechanisms for microstructure evolution in electroplated copper thin films near room temperature”, J. Appl. Phys., 86 (1999), pp.2516-2525.
  • S. H. Brongersma, E. Richard, I. Vervoort, H. Bender, W. Vandervorst, S. Lagrange, G. Beyer, and K. Maexc,“Two-step room temperature grain growth in electroplated copper”, J. Appl. Phys., 86 (1999), pp.3642-3645.
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  • H. Lee, S. S. Wong, S. D. Lopatin,“Correlation of stress and texture evolution during self- and thermal annealing of electroplated Cu films”, J. Appl. Phys., 93 (2003), pp.3796-3804.
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