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J-GLOBAL ID：202202239272222786   整理番号：22A1152203

二次元FeOCl:温度振動化学蒸気輸送により合成した高面内異方性反強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】

2D FeOCl: A Highly In-Plane Anisotropic Antiferromagnetic Semiconductor Synthesized via Temperature-Oscillation Chemical Vapor Transport

著者 (17件)： Zeng Yi (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Gu Pingfan (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhao Zijing (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhang Biao (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Lin Zhongchong (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Peng Yuxuan (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Li Wei (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhao Wanting (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Leng Yuchen (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Tan Pingheng (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Yang Teng (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, China) ,  Zhang Zhidong (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110016, China) ,  Song Youting (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yang Jinbo (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Ye Yu (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Tian Kesong (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Hou Yanglong (School of Materials Science and Engineering, Beijing Key Laboratory for Magnetoelectric Materials and Devices, Beijing Innovation Centre for Engineering Science and Advanced Technology, Peking University, Beijing, 100871, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 14  ページ： e2108847  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低対称性,新規磁性,および良好な安定性を有する2D van der Waals(vdW)遷移金属オキシハロゲン化物は,基礎研究およびスピントロニクスを開発するための多目的プラットフォームを提供する。反強磁性FeOClは,そのユニークな半導体特性と比較的高いNeel温度のため,大きな興味を引いている。ここでは,一般的な温度-振動化学気相輸送(TO-CVT)法を用いて,良質なセンチメートルスケールのFeOCl単結晶を制御的に合成した。2DFeOClの結晶構造,バンドギャップおよび異方性挙動を詳細に調べた。吸収スペクトルと電気測定は,2DFeOClが,約2.1eVの光学バンドギャップと295Kで≒10-1Ωmの抵抗率を有する半導体であり,バンドギャップは厚さの減少と共に増加することを明らかにした。強い面内光学と電気異方性が2DFeOClフレークで観察され,最大抵抗異方性比は295Kで2.66に達した。さらに,格子振動モードを温度依存Ramanスペクトルと第一原理密度汎関数計算により研究した。Neel温度以下のRaman周波数の著しい減少が観察され,それは2DFeOClにおける強いスピン-フォノン結合効果に起因した。本研究は小型化スピントロニクスのための高品質低対称性vdW磁気候補を提供した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  結晶構造 ,  対称性 ,  単結晶 ,  *反強磁性 ,  *半導体 ,  フォノン ,  温度依存性 ,  小型化 ,  磁気 ,  *二次元 ,  *磁性 ,  バンドギャップ ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2D材料 ,  反強磁性半導体 ,  FeOCl ,  面内異方性 ,  単結晶 ,  スピン-フォノン結合

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学 ,  蒸気 ,  輸送 ,  面内異方性 ,  強磁性半導体