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J-GLOBAL ID：202202239442512257   整理番号：22A0943700

高温でマグネトロンスパッタした酸化インジウムすず薄膜のTCRに及ぼす窒素分圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of nitrogen partial pressure on the TCR of magnetron sputtered indium tin oxide thin films at high temperatures

著者 (7件)： Liu Zhichun (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Liang Junsheng (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Zhou Hao (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Li Jian (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Yang Mingjie (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Cao Sen (Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China) ,  Xu Jun (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams, Ministry of Education, School of Physics, Dalian University of Technology, Dalian, 116023, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 9  ページ： 12924-12931  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムスズ酸化物(ITO)は,ホットセクション部品における熱および機械的パラメータ試験に適用される超高温薄膜センサ(UTTS)のための有望な高感度材料である。しかし,ITO膜における抵抗の温度係数(TCR)の不安定性は,UTTSsの精度改善における主要な制限要因の1つである。本研究では,種々のITO薄膜試料を10%~40%のN_2/Ar比を変えてRFマグネトロンスパッタリングにより作製し,500°Cから1200°Cまでの高温におけるITO膜のTCRに及ぼす窒素分圧(NPP)の影響を調べた。走査電子顕微鏡(SEM),X線回折(XRD)およびHall効果測定により,ITO膜の微細形態,結晶構造および電気的性能をそれぞれ調べた。結果は,ITO膜の低い結晶性とより小さい結晶粒がNPPの増加で観察できることを示した。さらに,再結晶は熱サイクル試験におけるTCR再現性に影響する主な要因の1つであることを見出した。粒成長速度(GGR)は500°Cから1200°Cまでの熱サイクル試験後の20%N_2ITO膜で27.0%であり,40%N_2ITO膜(309.6%)よりはるかに低かった。その結果,20%N_2ITO膜は熱サイクル試験後に最低のTCR揮発性速度(TVR)を示し,800°Cと1200°Cでそれぞれ約0.5%と2.1%だけ記録された。20%N_2ITO膜における高いTCR安定性は,熱サイクル試験中の安定な相構造の形成に起因した。さらに,20%N_2ITO膜は,他のITO膜と比較して,最小のTCRを有した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  結晶成長 ,  *高温 ,  再結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  *窒素 ,  X線回折分析 ,  酸化スズ ,  超高温 ,  結晶度 ,  結晶粒 ,  *分圧 ,  *酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒素分圧 ,  ITO ,  TCR ,  高温

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタ ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  TCR ,  窒素 ,  分圧