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J-GLOBAL ID:202202239916682159   整理番号:22A0975825

1024クロスバ化学センサアレイに及ぼす横方向SnO_2ナノ膜チャネル形状の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Lateral SnO2 Nanofilm Channel Geometry on a 1024 Crossbar Chemical Sensor Array
著者 (17件):
資料名:
巻:号:ページ: 460-468  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5046A  ISSN: 2379-3694  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1024クロスバーセンサアレイ上に横方向SnO_2ナノ膜チャネル形状を利用する熱ロバストで高度に集積した分子およびガスセンサを作製する合理的な戦略を提案した。提案した横方向チャネル形状は,その優れた抵抗制御性のため,従来の垂直サンドイッチ型クロスバーアレイと比較して,寄生相互接続ワイヤ抵抗の有害な影響を実質的に抑制した。横方向SnO_2ナノ膜チャネル上の導電性酸化物トップコンタクト電極は,周囲空気中で500°Cまでの温度で熱安定性を高めた。この横方向SnO_2ナノ膜形状をアナログ回路と統合することは,スネーク電流を避けるため,セレクタデバイスなしで1024クロスバーセンサアレイの操作を可能にする。開発した1024クロスバーセンサアレイシステムは分子ガス濃度の局所空間分布を検出する。分子濃度の空間的データは,それらの蒸気圧に基づく種々の揮発性分子を区別するための分子特異的データを含む。したがって,横方向ナノ膜形状を用いたこの統合クロスバーセンサアレイシステムは,ロバストで,信頼でき,高度に集積した分子およびガスセンサのためのプラットフォームを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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