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J-GLOBAL ID：202202240151732371   整理番号：22A0455115

SWIRおよびMWIRレーザのための直接バンドギャップI型Ge量子ドット/GeSnSi【JST・京大機械翻訳】

Direct Bandgap Type-I Ge Quantum Dots/GeSnSi for SWIR and MWIR Lasers

著者 (5件)： Zhang Liyao (Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China) ,  Yu Peng (Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China) ,  Yao Shuang (Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China) ,  Feng Duo (Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China) ,  Dai Jinmeng (Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
資料名： Electronic Materials Letters  (Electronic Materials Letters)
巻： 18  号： 1  ページ： 87-93  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4309A  ISSN： 1738-8090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_1-xSn_x仮想基板上の直接バンドギャップI型Ge QD/Ge_1-y-zSn_ySi_z二重ヘテロ構造をSWIRとMWIRレーザに対して提案した。Ge_1-y-zSn_ySi_z障壁はGe_1-xSn_xと格子整合した。Ge_1-y-zSn_ySi_zとGe_1-xSn_xのSn含有量を変えてバンド構造を計算した。Ge QDのバンド端エネルギーはxと共に直線的に変化し,yと無関係であった。Γ-谷はxが7.5%を超えるとL-谷以下であった。ΓとL伝導バンドの電子の基底状態はxとyの両方によって変化した。高xとyは伝導バンドオフセットを増加させ,価電子帯オフセットを減少させる。適切なSn含有量を有する提案構造から1.91から4.6μmまでの発光波長範囲を達成した。Ge_1-xSn_xVS上の直接バンドギャップタイプI Ge QD/Ge_1-y-zSn_ySi_zの放射波長をグラフ抽象化した。Copyright The Korean Institute of Metals and Materials 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  バンド構造 ,  発光 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  波長 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  バンドオフセット ,  *量子ドット ,  格子整合
準シソーラス用語： *中赤外線 ,  ヘテロ構造 ,  バンド端 ,  *直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ge量子ドット ,  GeSnSi ,  バンドオフセット ,  レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： SWIR ,  MWIR ,  レーザ ,  直接バンドギャップ ,  Ge ,  量子ドット